含空气桥芯片的SIP塑封件及其制作方法技术

本发明专利技术公开了一种含空气桥芯片的SIP塑封件及其制作方法，方法包括将至少一个待封装芯片键合在基板上，形成第一半成品封装件；在目标芯片的外表面上进行点胶形成牺牲层，得到第二半成品封装件；目标芯片为含空气桥芯片；对第二半成品封装件进行塑封得到第三半成品封装件；在第三半成品封装件上进行钻孔形成贯穿牺牲层外表面的阵列孔，得到第四半成品封装件；阵列孔为牺牲层提供挥发通道，使得牺牲层通过阵列孔挥发后，目标芯片与第四半成品封装件的外表面之间形成空腔；对第四半成品封装件进行表面处理得到目标SIP塑封件。本发明专利技术能在不含空气桥的芯片仍被塑封的前提下，保证含空气桥芯片中空气桥的完整性，确保整个SIP塑封件的功能性。件的功能性。件的功能性。

【技术实现步骤摘要】
含空气桥芯片的SIP塑封件及其制作方法


[0001]本专利技术涉及集成电路封装
，具体涉及一种含空气桥芯片的SIP塑封件及其制作方法。

技术介绍

[0002]塑封器件具有体积小、重量轻、成本低、电学性能优良等特点，因此各种类型的塑封件在智能手机、汽车、医疗等各大领域被广泛应用，其中，SIP塑封（又称系统级塑封）件是目前集成电路中的主要的承载形式。
[0003]随着科技的发展，对SIP塑封件的频率要求越来越高。目前，在SIP塑封件中通常会集成一些高频芯片或超高频芯片，例如MEMS（即Microelectromechanical Systems，缩写为MEMS，指微机电系统）芯片和射频芯片，通过这些类型的芯片来满足SIP塑封件的频率要求。但是，由于这类芯片的金属电极引线的寄生电容通常较高，因此需要降低金属电极引线的寄生电容以提高器件的灵敏度，才能较好地实现高频性能。同时，由于塑封料的介电常数较高（为4.0左右），因此这类芯片在塑封时，塑封料也会影响芯片的高频信号的性能。
[0004]目前，为降低SIP塑封件中这类芯片的金属电极本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种含空气桥芯片的SIP塑封件的制作方法，其特征在于，包括：将至少一个待封装芯片键合在基板上，形成第一半成品封装件；在所述第一半成品封装件中目标芯片的外表面上进行点胶，形成牺牲层，得到第二半成品封装件；其中，所述目标芯片为含空气桥芯片；对所述第二半成品封装件进行塑封，得到第三半成品封装件；在所述第三半成品封装件上进行钻孔，形成贯穿所述第三半成品封装件中所述牺牲层外表面的阵列孔，得到第四半成品封装件；其中，所述阵列孔用于为所述牺牲层提供挥发通道，使得所述牺牲层通过所述阵列孔挥发后，所述目标芯片与所述第四半成品封装件的外表面之间形成空腔；对所述第四半成品封装件进行表面处理，得到目标SIP塑封件。2.根据权利要求1所述的含空气桥芯片的SIP塑封件的制作方法，其特征在于，所述将至少一个待封装芯片键合在基板上，形成第一半成品封装件，包括：分别提供所述基板和至少一个所述待封装芯片；其中，所有所述待封装芯片中存在至少一个所述目标芯片；采用引线键合的方法，按照预设键合参数，将每个所述待封装芯片键合在所述基板的指定位置处，形成所述第一半成品封装件。3.根据权利要求1所述的含空气桥芯片的SIP塑封件的制作方法，其特征在于，所述在所述第一半成品封装件中目标芯片的外表面上进行点胶，形成牺牲层，包括：确定所有所述待封装芯片中的至少一个所述目标芯片；按照预设点胶参数，在所述第一半成品封装件中每个所述目标芯片的外表面上分别进行点胶，分别形成对应的所述牺牲层。4.根据权利要求3所述的含空气桥芯片的SIP塑封件的制作方法，其特征在于，在所述第一半成品封装件中目标芯片的外表面上进行点胶，形成牺牲层之后，还包括：采用加热的方法，对每个所述目标芯片外表面上形成的所述牺牲层分别进行塑型。5.根据权利要求3...

【专利技术属性】
技术研发人员：孙静，杨婷，
申请(专利权)人：南京睿芯峰电子科技有限公司，
类型：发明
国别省市：