一种双功率芯片封装子结构及多芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种双功率芯片封装子结构及多芯片封装结构，属于芯片封装技术领域，其由下至上依次包括第二塑封层、第一塑封层和焊盘，第一塑封层、第二塑封层内分别封装有第一芯片、第二芯片；两颗芯片的第一面电极均经第一重布线件与焊盘连接；第一芯片的第二面电极与焊盘连接，第二芯片的第二面电极经第二重布线件与焊盘连接。该结构无需借助引线框架即可实现至少两颗芯片的互联封装，大大减薄了封装结构体积；整个封装子结构简单，降低了工艺制作难度；另外叠层设置的两颗芯片的相同电极(如背面电极)经重布线件连接后与焊盘连接，本实用新型专利技术经重布线件实现芯片电极互联能够降低封装寄生电阻。够降低封装寄生电阻。够降低封装寄生电阻。

【技术实现步骤摘要】
一种双功率芯片封装子结构及多芯片封装结构


[0001]本技术涉及芯片封装
，尤其涉及一种双功率芯片封装子结构及多芯片封装结构。

技术介绍

[0002]传统双芯片封装结构为平面结构，一般是将两颗芯片平行放在引线框架上，然后通过引线键合的方式实现芯片间的互联。上述封装结构形成的最终产品一般无法做到很薄(包含引线框架厚度)，且由于引线框架面积有限限制了互连的芯片数量，因此无法扩充更多芯片。另外，基于引线键合方式连接两个芯片，会导致最后形成的互连结构寄生阻值较大，影响产品整体特性。
[0003]为进一步降低芯片的封装体积，提高产品的功率密度，现有技术提出了基于引线框架设计的叠层芯片封装结构，即将芯片一、芯片二叠层设置后封装，该封装结构在一定程度降低了封装结构体积，提高了集成度，然而其仍然需要借助引线框架，无法有效减小整个封装结构的封装体积。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有技术的问题，提供了一种双功率芯片封装子结构及多芯片封装结构。
[0005]本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种双功率芯片封装子结构，该封装子结构由下至上依次包括第二塑封层、第一塑封层和焊盘，第一塑封层内封装有第一芯片，第二塑封层内封装有第二芯片，第一芯片与第二芯片反向设置；
[0006]第一芯片的第一面电极、第二芯片的第一面电极均经第一重布线件与焊盘连接；
[0007]第一芯片的第二面电极与焊盘连接，第二芯片的第二面电极经第二重布线件与焊盘连接。
[0008]在一示例中，所述第一重布线件包括依次连接的第一布线金属层、第四布线金属层，第一芯片的第一面电极、第二芯片的第一面电极经第一布线金属层连接，第四布线金属层贯穿第二塑封层设置，且第四布线金属层与焊盘连接。
[0009]在一示例中，所述第一布线金属层封装于第一塑封层内。
[0010]在一示例中，所述第二重布线件包括依次连接的第二布线金属层、第三布线金属层，第二布线金属层与第二芯片的第二面电极连接，第三布线金属层贯穿第一塑封层、第二塑封层设置，且第三布线金属层与焊盘连接。
[0011]在一示例中，所述第二布线金属层为水平布线层，并封装于第三塑封层内。
[0012]在一示例中，所述第三布线金属层包括互联的第三布线金属子层A和第三布线金属子层B，第三布线金属子层A贯通第二塑封层，第三布线金属子层B贯通第一塑封层。
[0013]在一示例中，所述第一塑封层上设有第一介质层，第一介质层内形成有导电块，第一重布线件、第二重布线件经导电块与焊盘连接。
[0014]在一示例中，所述第一塑封层上依次设有第二介质层、第三介质层，第二介质层内形成有第五布线金属层，第三介质层内形成有引脚金属，第一重布线件、第二重布线件依次经第五布线金属层、引脚金属与焊盘连接。
[0015]在一示例中，所述第二介质层、第三介质层为Al2O3、SiO2、SiNx、环氧树脂、PI、PBO中任意一种。
[0016]需要进一步说明的是，上述封装子结构各示例对应的技术特征可以相互组合或替换构成新的技术方案。
[0017]本技术还包括一种多功率芯片封装结构，该封装结构包括若干上述任一示例或者多个示例组成形成的封装子结构，各封装子结构水平拼接得到多芯片封装结构。
[0018]与现有技术相比，本技术有益效果是：
[0019]本技术封装结构无需借助引线框架即可实现至少两颗芯片的互联封装，一方面突破了引线框架面积对芯片互连数量的限制，另一方面大大减薄了封装结构体积；同时，整个封装子结构简单，降低了工艺制作难度；另外叠层设置的两颗芯片的相同电极(如背面电极)经重布线件连接后与焊盘连接，能够降低封装寄生电阻；进一步地，两颗芯片的另一电极也通过重布线件引出与焊盘连接，无需额外引入引线对芯片进行键合，降低了芯片互联的寄生电阻。
附图说明
[0020]下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明，此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。
[0021]图1为本技术一示例中的方法流程图；
[0022]图2为本技术优选示例步骤S1
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制备得到的封装子结构示意图；
[0023]图3为本技术优选示例步骤S2
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制备得到的封装子结构示意图；
[0024]图4为本技术优选示例步骤S3
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制备得到的封装子结构示意图；
[0025]图5为本技术优选示例步骤S4
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制备得到的封装子结构示意图；
[0026]图6为本技术优选示例步骤S5
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制备得到的封装子结构示意图；
[0027]图7为本技术优选示例步骤S6
”’
制备得到的封装子结构示意图；
[0028]图8为本技术优选示例步骤S7
”’
制备得到的封装子结构示意图；
[0029]图9为本技术优选示例步骤S8
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制备得到的封装子结构示意图；
[0030]图10为本技术优选示例步骤S9
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制备得到的封装子结构示意图；
[0031]图11为本技术优选示例步骤S10
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制备得到的封装子结构示意图；
[0032]图12为本技术优选示例步骤S11
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制备得到的封装子结构示意图。
[0033]图中：1
‑
第一芯片；2
‑
第二芯片；3
‑
载板；4a
‑
第一塑封层；4b
‑
第二塑封层；4d
‑
第三塑封层；11
‑
焊盘；12
‑
引脚金属；13
‑
正面电极；18
‑
第一布线金属层；19
‑
第二布线金属层；20
‑
第三布线金属层；21
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第四布线金属层；22
‑
第五布线金属层；23a
‑
第二介质层；23b
‑
第三介质层；24
‑
第一盲孔；25
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第二通孔；26
‑
第三通孔；27
‑
第四通孔。
具体实施方式
[0034]下面结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0035]在本技术的描述中本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种双功率芯片封装子结构，其特征在于：其由下至上依次包括第二塑封层、第一塑封层和焊盘，第一塑封层内封装有第一芯片，第二塑封层内封装有第二芯片，第一芯片与第二芯片反向设置；第一芯片的第一面电极、第二芯片的第一面电极均经第一重布线件与焊盘连接；第一芯片的第二面电极与焊盘连接，第二芯片的第二面电极经第二重布线件与焊盘连接。2.根据权利要求1所述的一种双功率芯片封装子结构，其特征在于：所述第一重布线件包括依次连接的第一布线金属层、第四布线金属层，第一芯片的第一面电极、第二芯片的第一面电极经第一布线金属层连接，第四布线金属层贯穿第二塑封层设置，且第四布线金属层与焊盘连接。3.根据权利要求2所述的一种双功率芯片封装子结构，其特征在于：所述第一布线金属层封装于第一塑封层内。4.根据权利要求1所述的一种双功率芯片封装子结构，其特征在于：所述第二重布线件包括依次连接的第二布线金属层、第三布线金属层，第二布线金属层与第二芯片的第二面电极连接，第三布线金属层贯穿第一塑封层、第二塑封层设置，且第三布线金属层与焊盘连接。5.根据权利要求4所述的一种双功率芯片封装子结构，其特征在于：所...

【专利技术属性】
技术研发人员：马磊，
申请(专利权)人：成都复锦功率半导体技术发展有限公司，
类型：新型
国别省市：