一种芯片封装子结构、双芯片封装结构及多芯片封装结构制造技术

本实用新型专利技术公开了一种芯片封装子结构、双芯片封装结构及多芯片封装结构，属于半导体封装技术领域，由下至上依次包括第二塑封层、第一塑封层、第一介质层和焊盘；第一塑封层内封装有第一芯片；第二塑封层内设有第一布线金属层，与第一芯片第一面电极连接；第一布线金属层与贯穿第一塑封层的第二布线金属层连接；第二布线金属层与第一介质层中的第三布线金属层连接，第三布线金属层与焊盘连接；第一芯片的第二面电极连接有第四布线金属层，第四布线金属层与焊盘连接。整个封装结构不包含引线框架，降低了封装体积，实现了封装结构的薄型化；芯片电极引出通过布线金属层实现，降低了寄生电阻，并提高了连接的可靠性与稳定性，适合批量生产。量生产。量生产。

【技术实现步骤摘要】
一种芯片封装子结构、双芯片封装结构及多芯片封装结构


[0001]本技术涉及半导体封装
，尤其涉及一种芯片封装子结构、双芯片封装结构及多芯片封装结构。

技术介绍

[0002]芯片封装技术是将芯片包裹起来，以避免芯片与外界接触，防止外界对芯片的损害的一种工艺技术。空气中的杂质和不良气体，乃至水蒸气都会腐蚀芯片上的精密电路，进而造成电学性能下降。不同的封装技术在制造工序和工艺方面差异很大，封装后对内存芯片自身性能的发挥也起到至关重要的作用。
[0003]基于引线框的芯片封装技术长期以来都是行业标准，其主要是将芯片固定于引线框架，然后通过打线的方式引出芯片电极，然而封装结构包含引线框架将导致整个封装结构较厚，体积大；同时，打线方式提高了整个封装结构的寄生电阻，且连接可靠性低。

技术实现思路

[0004]本技术的目的在于克服现有技术的问题，提供了一种芯片封装子结构、双芯片封装结构及多芯片封装结构。
[0005]本技术的目的是通过以下技术方案来实现的：一种芯片封装子结构，该封装子结构由下至上依次包括第二塑封层、第一塑封层、第一介质层和焊盘；第一塑封层内封装有第一芯片；第二塑封层内设有第一布线金属层，与第一芯片的正面电极或背面电极连接；第一布线金属层与贯穿第一塑封层的第二布线金属层连接；第二布线金属层与第一介质层中的第三布线金属层连接，第三布线金属层与焊盘连接；第一芯片的背面电极或正面电极连接有第四布线金属层，第四布线金属层与焊盘连接。
[0006]在一示例中，所述封装子结构还包括设于第一介质层上的第二介质层，第三布线金属层贯穿第一介质层并凸出第一介质层设置，凸出第一介质层的第三布线金属层经第二介质层包裹；第二介质层内设有第五布线金属层，与第三布线金属层、焊盘连接。
[0007]在一示例中，所述第三布线金属层为弯折的布线层。
[0008]在一示例中，所述第一介质层、第二介质层为Al2O3、SiO2、SiNx、环氧树脂、PI、PBO中任意一种。
[0009]在一示例中，所述第二布线金属层为金属柱。
[0010]在一示例中，所述金属柱包括上层金属子柱与下层金属子柱，上层金属子柱为Cu材质金属柱，下层金属子柱为Ti材质金属柱。
[0011]需要进一步说明的是，上述封装子结构各示例对应的技术特征可以相互组合或替换构成新的技术方案。
[0012]在一示例中，一种芯片封装子结构，包括两个如上述任一示例或者多个示例组成形成的所述封装子结构，各封装子结构水平拼接得到双芯片封装子结构。
[0013]在一示例中，双芯片封装子结构中的两颗芯片的正面电极均朝下；
[0014]或两颗芯片的正面电极均朝上；
[0015]或其中一颗芯片的正面电极朝下，另一颗芯片的背面电极朝上。
[0016]本技术还包括一种多芯片封装结构，包括两个如上述任一示例或者多个示例组成形成的所述封装子结构，各封装子结构水平拼接得到封装结构。
[0017]在一示例中，双封装结构中各芯片的正面电极均朝下；
[0018]或各芯片的正面电极均朝上；
[0019]或部分芯片的正面电极朝下，另一部分芯片的背面电极朝上。
[0020]与现有技术相比，本技术有益效果是：
[0021]1.整个封装结构不包含引线框架，大大降低了封装体积，实现了封装结构的薄型化；同时，芯片电极的引出通过布线金属层实现，相较于打线方式引线，降低了寄生电阻，并提高了连接的可靠性与稳定性，适合批量生产。
[0022]2.通过第一介质层、第二介质层进行两层金属布线，提高了连接稳定性。
附图说明
[0023]下面结合附图对本技术的具体实施方式作进一步详细的说明，此处所说明的附图用来提供对本申请的进一步理解，构成本申请的一部分，在这些附图中使用相同的参考标号来表示相同或相似的部分，本申请的示意性实施例及其说明用于解释本申请，并不构成对本申请的不当限定。
[0024]图1为本技术一示例中的封装子结构示意图；
[0025]图2为本技术另一示例中的封装子结构示意图；
[0026]图3为双芯片封装子结构制备方法步骤S1制备得到的封装子结构示意图；
[0027]图4为双芯片封装子结构制备方法步骤S2制备得到的封装子结构示意图；
[0028]图5为双芯片封装子结构制备方法步骤S3制备得到的封装子结构示意图；
[0029]图6为双芯片封装子结构制备方法步骤S4制备得到的封装子结构示意图；
[0030]图7为双芯片封装子结构制备方法步骤S5制备得到的封装子结构示意图；
[0031]图8为双芯片封装子结构制备方法步骤S6制备得到的封装子结构示意图；
[0032]图9为双芯片封装子结构制备方法步骤S7制备得到的封装子结构示意图。
[0033]图中：第一芯片1；第二芯片2；第一塑封层3a；第二塑封层3b；第一布线金属层4a；第二布线金属层4b；第三布线金属层4c；第四布线金属层4d；第五布线金属层4e；第一介质层5a；第二介质层5b；焊盘6；正面电极7；载板8。
具体实施方式
[0034]下面结合附图对本技术的技术方案进行清楚、完整地描述，显然，所描述的实施例是本技术一部分实施例，而不是全部的实施例。基于本技术中的实施例，本领域普通技术人员在没有做出创造性劳动前提下所获得的所有其他实施例，都属于本技术保护的范围。
[0035]在本技术的描述中，需要说明的是，属于“中心”、“上”、“下”、“左”、“右”、“竖直”、“水平”、“内”、“外”等指示的方向或位置关系为基于附图所述的方向或位置关系，仅是为了便于描述本技术和简化描述，而不是指示或暗示所指的装置或元件必须具有特定
的方位、以特定的方位构造和操作，因此不能理解为对本技术的限制。此外，使用序数词(例如，“第一和第二”、“第一至第四”等)是为了对物体进行区分，并不限于该顺序，而不能理解为指示或暗示相对重要性。
[0036]在本技术的描述中，需要说明的是，除非另有明确的规定和限定，属于“安装”、“相连”、“连接”应做广义理解，例如，可以是固定连接，也可以是可拆卸连接，或一体地连接；可以是机械连接，也可以是电连接；可以是直接相连，也可以通过中间媒介间接相连，可以是两个元件内部的连通。对于本领域的普通技术人员而言，可以具体情况理解上述术语在本技术中的具体含义。
[0037]此外，下面所描述的本技术不同实施方式中所涉及的技术特征只要彼此之间未构成冲突就可以相互结合。
[0038]在一示例中，一种芯片封装子结构，如图1所示，该封装子结构由下至上依次包括第二塑封层3b、第一塑封层3a、第一介质层5a和焊盘6。优选地，第一塑封层3a、第二塑封层3b均为环氧树脂材质的塑封层，具有质量轻、强度高、耐腐蚀性好、电性能优异、减震等特点，能够较好满足芯片封装要求。焊盘6本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种芯片封装子结构，其特征在于：其由下至上依次包括第二塑封层、第一塑封层、第一介质层和焊盘；第一塑封层内封装有第一芯片；第二塑封层内设有第一布线金属层，与第一芯片的正面电极或背面电极连接；第一布线金属层与贯穿第一塑封层的第二布线金属层连接；第二布线金属层与第一介质层中的第三布线金属层连接，第三布线金属层与焊盘连接；第一芯片的背面电极或正面电极连接有第四布线金属层，第四布线金属层与焊盘连接。2.根据权利要求1所述的一种芯片封装子结构，其特征在于：所述封装子结构还包括设于第一介质层上的第二介质层，第三布线金属层贯穿第一介质层并凸出第一介质层设置，凸出第一介质层的第三布线金属层经第二介质层包裹；第二介质层内设有第五布线金属层，与第三布线金属层、焊盘连接。3.根据权利要求2所述的一种芯片封装子结构，其特征在于：所述第三布线金属层为弯折的布线层。4.根据权利要求2所述的一种芯片封装子结构，其特征在于：所述第一介质层、第二介质层为Al2O3、SiO2、SiNx、环氧树脂、PI、PBO中任意一种。5.根...

【专利技术属性】
技术研发人员：马磊，张帅，
申请(专利权)人：成都复锦功率半导体技术发展有限公司，
类型：新型
国别省市：