用于集成电路的再分布层以及集成电路制造技术

本公开的实施例涉及用于集成电路的再分布层以及集成电路。一种用于集成电路的再分布层，包括：导电互连层；导电体部，与所述导电互连层电接触；绝缘区域，围绕所述导电体部，所述绝缘区域在所述导电体部的表面处具有孔；绝缘介电保护层，其在所述绝缘区域上、并且部分地在所述导电体部的所述表面上延伸，所述绝缘介电保护层具有小于100nm的厚度，并且所述绝缘介电保护层被配置为对所述导电体部提供针对氧化和/或腐蚀的保护。利用本公开的实施例有利地允许实现电晶片分选测试，而不需要预蚀刻步骤，从而保持了热机械稳定性。从而保持了热机械稳定性。从而保持了热机械稳定性。

【技术实现步骤摘要】
用于集成电路的再分布层以及集成电路


[0001]这里的实施例涉及再分布层以及集成电路。

技术介绍

[0002]众所周知，集成电路(IC)由多个由半导体、绝缘和导电材料制成的重堆叠组成，通常由光刻法定义。
[0003]在集成电路制造工艺的第一阶段(在本领域中称为前端线(FEOL))中，在晶片表面上图案化诸如晶体管、二极管、电阻器和电容器等的单个器件。
[0004]在第二阶段(在本领域中称为线路后端(BEOL))，各个器件通过导电金属线互连。特别是，由于现代IC布局的复杂性和单个器件的高密度，后端工艺包括制造多个堆叠的金属层，通过电介质层彼此电绝缘；通过介电层的通孔将任何金属层连接到下面的金属层和/或上面的金属层。
[0005]在IC制造工艺的第三阶段中，属于BEOL阶段(这有助于随后的封装工艺)，在最后的金属互连层上方图案化再分布层(RDL)。众所周知，再分布层是用于将输入/输出焊盘路由到管芯区域上的其他位置的额外金属层，从而在封装制造期间实现更简单的接合(例如，芯片到芯片的接合)。此外，它是能够降低I/O访问电阻的功率金本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种用于集成电路的再分布层，其特征在于，包括：导电互连层；导电体部，与所述导电互连层电接触；绝缘区域，围绕所述导电体部，所述绝缘区域在所述导电体部的表面处具有孔；绝缘介电保护层，其在所述绝缘区域上、并且部分地在所述导电体部的所述表面上延伸，所述绝缘介电保护层具有小于100nm的厚度，并且所述绝缘介电保护层被配置为对所述导电体部提供针对氧化和/或腐蚀的保护。2.根据权利要求1所述的再分布层，其特征在于，还包括在所述绝缘介电保护层上的另一保护层，所述另一保护层被配置为在不损坏的情况下耐受高达300℃的温度。3.根据权利要求2所述的再分布层，其特征在于，所述另一保护层的厚度在0.01μm至1μm的范围内。4.根据权利要求1所述的再分布层，其特征在于，所述绝缘区域包括完全覆盖所述导电体部的氮化硅涂层。5.根据权利要求4所述的再分布...

【专利技术属性】
技术研发人员：S，
申请(专利权)人：意法半导体股份有限公司，
类型：新型
国别省市：