本技术公开了一种基于自激振荡的扩流型负电压生成电路，属于电源电路技术领域，其包括：自激振荡模块，用于输出高低变换电平；图腾柱模块，与自激振荡模块的输出端连接，在高低变换电平作用下改变开关状态，生成开关驱动信号；降压电路模块，与图腾柱模块...

本发明公开了一种低损耗、窄米勒平台的横向耗尽IGBT器件及其制作方法，属于功率半导体技术领域，器件的N型漂移区内刻蚀有沟槽；P型体区下方沟槽内设有第一多晶硅层，第一多晶硅层与沟槽侧壁之间设有第一栅氧层；第一多晶硅层上设有第二多晶硅层，第...

本实用新型公开了一种电压检测保护电路，属于电压检测技术领域，包括依次连接的低压限制电路模块、自锁电路模块、电压检测电路模块以及故障输出电路模块，还包括用于为各电路模块供电并提供基准电压的供电及基准电路模块。在电路启机时，低压限制电路模块...

本实用新型公开了一种芯片封装子结构、双芯片封装结构及多芯片封装结构，属于半导体封装技术领域，由下至上依次包括第二塑封层、第一塑封层、第一介质层和焊盘；第一塑封层内封装有第一芯片；第二塑封层内设有第一布线金属层，与第一芯片第一面电极连接；...

本实用新型公开了一种基于自激振荡的IGBT驱动电源电路，属于电源电路技术领域，其包括：自激振荡模块；图腾柱模块，与自激振荡模块输出端连接，在高低变换电平作用下改变开关状态，生成开关驱动信号；降压电路模块，与图腾柱模块的输出端连接；驱动模...

本实用新型公开了一种双功率芯片封装子结构及多芯片封装结构，属于芯片封装技术领域，其由下至上依次包括第二塑封层、第一塑封层和焊盘，第一塑封层、第二塑封层内分别封装有第一芯片、第二芯片；两颗芯片的第一面电极均经第一重布线件与焊盘连接；第一芯...

本发明公开了一种提升面积利用率的版图设计方法、系统、芯片及终端，属于半导体集成电路制造领域，利用模糊边界法调整初始拼版方案，得到更新拼版方案；和/或，对初始拼版方案或更新拼版方案中芯片矩阵单元进行随机拼接，并比较各拼版方案的面积利用率，...

本实用新型公开了一种三维集成扇出型封装单元及封装结构，所述封装单元包括从下至上依次连接的第二介质层、第一介质层、第一塑封体、第一布线层以及第二塑封体，所述第一塑封体中设置有第一芯片，所述第二塑封体中设置有第二芯片，其中，所述第二芯片倒贴...

本实用新型公开了一种多芯片3D封装结构，包括上层芯片、下层芯片以及基板，上层芯片和下层芯片之间设有第三布线层，其中上层芯片的一面依次通过第一布线层、铜柱与所述第三布线层连接，下层芯片的一面设置在基板上，下层芯片的另一面依次通过第二布线层...

本实用新型公开了一种双芯片封装结构，包括塑封体，所述塑封体中开设有两个凹槽，两个凹槽之间的塑封体形成凸台，在所述两个凹槽中以及凸台表面设置有共背极金属布线层，每个凹槽中设置一个芯片，芯片的背面与所述共背极金属布线层连接，所述芯片的正面设...

本实用新型公开了一种欠压检测保护电路，属于电压检测技术领域，包括依次连接的低压限制电路模块、自锁电路模块、欠压检测电路模块以及故障输出电路模块，还包括用于为各电路模块供电并提供基准电压的供电及基准电路模块。在电路启机时，低压限制电路模块...

本实用新型公开了一种基于自激振荡的正负电压生成电路，属于电源电路技术领域，包括自激振荡模块，用于输出高低变换电平；图腾柱模块，在高低变换电平作用下改变开关状态，生成开关驱动信号；正压生成模块，该模块中电容在高低变换电平、开关驱动信号作用...

本实用新型公开了一种芯片双面互连封装结构，包括衬底、设置于所述衬底下方的第一塑封体以及设置于所述衬底上方的第二塑封体，所述第二塑封体上连接有介质层，所述第一塑封体中设有第一芯片，所述第二塑封体中设有第二芯片。所述衬底中设有相对分布在所述...

本实用新型公开了一种叠层双芯片封装子结构及多芯片封装结构，属于芯片封装技术领域，其由下至上依次包括第一塑封层、第一介质层、第二塑封层和焊盘，第一塑封层、第二塑封层内分别封装有第一芯片、第二芯片；第一芯片的第一面电极经第一重布线件与焊盘连...

本实用新型公开了一种芯片双面互连的堆叠封装结构，包括多个依次连接的堆叠单元，堆叠单元包括上层芯片和下层芯片，上层芯片的背面通过第一布线层与所述下层芯片正面连接，某个堆叠单元中上层芯片的正面通过第二布线层与下一个相邻的堆叠单元中下层芯片的...

本发明公开了一种芯片封装结构及其制备方法，属于芯片封装技术领域，方法包括：封装第一芯片；制作第一重布线件；封装第二芯片，第二芯片的第一面电极与第一芯片的第一面电极经第一重布线件连接；制作第二重布线件，第一芯片的第二面电极或第二芯片的第二...

本实用新型公开了一种降低翘曲的扇出型板级封装结构和电子设备，封装结构包括：第一塑封层；芯片，设置于所述第一塑封层内；所述第一塑封层背面设置有若干第一冷却槽体和若干第二冷却槽体，所述第一冷却槽体位于芯片侧面的外侧，所述第二冷却槽体位于芯片...

本实用新型公开了一种柔性电路板工艺制造治具，属于治具设计技术领域，包括载体，载体上设有与FPC板适配的凹槽，凹槽上设有真空吸附区；载体上还设有用于压紧FPC板的活动压爪。本实用新型FPC板设于具有真空吸附功能的凹槽内，能够有效防止FPC...

本实用新型公开了一种半导体器件推拉力测试机治具，属于半导体封装技术领域，该治具包括基板，基板上设有用于固定引线框架的吸附区，以及用于压紧引线框架的压爪。本实用新型通过吸附区吸附引线框架，配合压爪进一步压紧引线框架，能够实现多型号产品的固...

本发明公开了一种芯片双面互连封装方法，包括：在衬底上下两侧分别沉积绝缘介质，形成绝缘层；在衬底中制作第一通孔；在第一通孔中填入金属形成金属导电块，然后在衬底的下侧制作第一布线层；将第一芯片通过金属引线连接焊盘后，并制作形成第一塑封体；在...