半导体结构和半导体结构的制备方法技术

本申请涉及一半导体结构和半导体结构的制备方法，包括：硅衬底，包括沟槽区和非沟槽区；介质层，位于硅衬底上且具有延伸至非沟槽区的接触孔；填充叠层，位于介质层上并填充接触孔，以进行金属键合；其中，填充叠层包括依次层叠的粘附层、阻挡层和金属接触层，金属接触层包括依次层叠的AlSiCu层和AlCu层。通过在AlCu层之前先形成AlSiCu层，AlSiCu层内的硅与金属接触层中的铝进行互溶并且达到饱和，从而硅衬底的非沟槽区内的硅不再与金属接触层内的铝进行互溶，避免了接触孔与硅衬底之间发生硅铝互溶现象，提高了接触孔的质量。提高了接触孔的质量。提高了接触孔的质量。

【技术实现步骤摘要】
半导体结构和半导体结构的制备方法


[0001]本申请涉及半导体
，特别是涉及一种半导体结构和半导体结构的制备方法。

技术介绍

[0002]作为封装中的一道关键工序，引线键合互连常采用工艺简单且工艺成本低的铝丝键合技术。其中，芯片的正面金属结构对铝丝键合的效果有较大的影响。
[0003]对于间距较大的绝缘栅双极型晶体管(英文：Insulated Gate Bipolar Transistor，简称：IGBT)，接触孔的尺寸通常也会较大，往往采用正面金属填充工艺完成对接触孔的填充，从而形成正面金属结构。其中，常使用AlCu对接触孔进行填充。
[0004]为了避免出现接触孔中的AlCu与硅衬底之间发生硅铝互溶而降低接触孔质量的问题，通常在接触孔内淀积一定厚度的金属钨，再对金属钨进行回刻。然而，这种工序比较复杂并且成本较高。

技术实现思路

[0005]基于此，有必要针对相关技术中的正面金属填充工艺的工序复杂且高成本的问题，提供一种半导体结构和半导体结构的制备方法。
[0006]为了实现上述目的，一方面，本申本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构，其特征在于，所述半导体结构包括：硅衬底，包括沟槽区和非沟槽区；介质层，位于所述硅衬底上且具有延伸至所述非沟槽区的接触孔；填充叠层，位于所述介质层上并填充所述接触孔，以进行金属键合；其中，所述填充叠层包括依次层叠的粘附层、阻挡层和金属接触层，所述金属接触层包括依次层叠的AlSiCu层和AlCu层。2.根据权利要求1所述的半导体结构，其特征在于，所述AlSiCu层的厚度小于所述AlCu层的厚度。3.根据权利要求2所述的半导体结构，其特征在于，所述AlCu层的厚度为所述AlSiCu层的厚度的2倍～3倍。4.根据权利要求3所述的半导体结构，其特征在于，所述AlSiCu层的厚度为1微米～2微米，所述AlCu层的厚度为3微米～4微米。5.根据权利要求1
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4任一项所述的半导体结构，其特征在于，所述粘附层和所述阻挡层的厚度之和小于所述金属接触层的厚度。6.根据权利要求5所述的半导体结构，其特征在于，所述金属...

【专利技术属性】
技术研发人员：李茜，曹万顺，吴晓丽，
申请(专利权)人：上海积塔半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：