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本申请涉及一半导体结构和半导体结构的制备方法，包括：硅衬底，包括沟槽区和非沟槽区；介质层，位于硅衬底上且具有延伸至非沟槽区的接触孔；填充叠层，位于介质层上并填充接触孔，以进行金属键合；其中，填充叠层包括依次层叠的粘附层、阻挡层和金属接触层，...
该专利属于上海积塔半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过上海积塔半导体有限公司授权不得商用。

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