半导体器件制造技术

本发明专利技术公开一种半导体器件，该半导体器件包括：第一半导体元件；第二半导体元件；第一绝缘基底构件，其粘接至第一半导体元件；第一布线，其与第一半导体元件的第一电极连接，并且布置在第一绝缘基底构件上；第二绝缘基底构件，其粘接至第二半导体元件；第二布线，其与第二半导体元件的第三电极连接，并且布置在第二绝缘基底构件上；第一布线构件，其与第一半导体元件的第二电极连接；第二布线构件，其与第一布线和第二半导体元件的第四电极电连接；以及第三布线构件，其与第二布线连接。电流在第一布线构件中沿第一方向流动，并且在第三布线构件中沿与第一方向相反的第二方向流动。构件中沿与第一方向相反的第二方向流动。构件中沿与第一方向相反的第二方向流动。

【技术实现步骤摘要】
半导体器件


[0001]本公开涉及一种半导体器件。

技术介绍

[0002]已知一种半导体器件，其中每个半导体元件通过粘接层附接至诸如聚酰亚胺等树脂膜，并且在树脂膜的与粘接层相反侧的表面上形成布线层(例如，参见JP
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A
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2016
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046523)。
[0003]另一方面，为了实现半导体器件的高速切换操作，期望进一步降低半导体器件中产生的电感。
[0004]因此，本公开旨在提供一种能够减小电感的半导体器件。

技术实现思路

[0005]某实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一半导体元件，其包括第一面和与第一面相反的第二面，其中，第一面中设置有第一电极，并且第二面中设置有第二电极；第二半导体元件，其包括第三面和与第三面相反的第四面，其中，第三面中设置有第三电极，并且第四面中设置有第四电极；第一绝缘基底构件，其包括第五面和与第五面相反的第六面，第一半导体元件的第一面粘接至第五面；第一布线，其贯穿第一绝缘基底构件而与第一电极电连接，并且布置在第一绝缘基底构件的第六面上；第二绝缘基底构件，其包括第七面和与第七面相反的第八面，第二半导体元件的第三面粘接至第七面；第二布线，其贯穿第二绝缘基底构件而与第三电极电连接，并且布置在第二绝缘基底构件的第八面上；第一布线构件，其与第一半导体元件的第二电极电连接；第二布线构件，其与第一绝缘基底构件的第六面相对，并且与第一布线和第二半导体元件的第四电极电连接；以及
[0006]第三布线构件，其与第二绝缘基底构件的第八面相对，并且与第二布线电连接。第一布线构件和第三布线构件彼此面对并且彼此电连接。电流在第一布线构件中沿第一方向流动，并且在第三布线构件中沿与第一方向相反的第二方向流动。
[0007]某实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件包括：第一半导体元件，其包括第一面和与第一面相反的第二面，其中，第一面中设置有第一电极，并且第二面中设置有第二电极；第二半导体元件，其包括第三面和与第三面相反的第四面，其中，第三面中设置有第三电极，并且第四面中设置有第四电极；第一绝缘基底构件，其包括第五面和与第五面相反的第六面，第一半导体元件的第一面粘接至第五面；第一布线，其贯穿第一绝缘基底构件而与第一电极电连接，并且布置在第一绝缘基底构件的第六面上；第二绝缘基底构件，其包括第七面和与第七面相反的第八面，第二半导体元件的第三面粘接至第七面；第二布线，其贯穿第二绝缘基底构件而与第三电极电连接，并且布置在第二绝缘基底构件的第八面上；第四布线构件，其与第一半导体元件的第二电极电连接；第五布线构件，其与第二绝缘基底构件的第八面相对，并且与第二布线电连接；以及绝缘固定构件，其布置在第四布线构件和第五布线构件之间。第四布线构件和第五布线构件彼此面对并且彼此电连接。电流在第四布
线构件中沿第一方向流动，并且在第五布线构件中沿与第一方向相反的第二方向流动。
附图说明
[0008]图1是示出根据第一实施例的半导体器件的截面图；
[0009]图2是示出根据第一实施例的半导体器件的电路图；
[0010]图3A至图3D是示出根据第一实施例的每个半导体器件的制造方法的截面图(部分1)；
[0011]图4A至图4D是示出根据第一实施例的半导体器件的制造方法的截面图(部分2)；
[0012]图5A至图5C是示出根据第一实施例的半导体器件的制造方法的截面图(部分3)；
[0013]图6是示出根据第二实施例的半导体器件的截面图；
[0014]图7是示出根据第三实施例的半导体器件的截面图；
[0015]图8是示出根据第四实施例的半导体器件的截面图；
[0016]图9是示出根据第五实施例的半导体器件的截面图；并且
[0017]图10是示出根据第六实施例的半导体器件的截面图。
具体实施方式
[0018]以下将参照附图具体描述本公开的各实施例。顺便提及，在本公开的描述和附图中，具有基本相同的功能构造的组成元件将相应地且分别地由相同的附图标记来指定，并且因此可以省略关于这些组成元件的重复解释。另外，在本公开中，X1
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X2方向、Y1
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Y2方向和Z1
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Z2方向被设定为彼此相互正交的方向。包括X1
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X2方向和Y1
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Y2方向的平面将被描述为XY平面，包括Y1
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Y2方向和Z1
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Z2方向的平面将被描述为YZ平面，并且包括Z1
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Z2方向和X1
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X2方向的平面将被描述为ZX平面。顺便提及，为了方便，将Z1
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Z2方向设定为上下方向，将Z1侧设定为上侧，并且将Z2侧设定为下侧。另外，术语“俯视图”是指从Z1侧观察的物体的视图，并且术语“平面形状”是指从Z1侧观察的物体的形状。然而，半导体器件可以以竖直倒置状态使用，或者可以以任何角度布置。
[0019](第一实施例)
[0020]首先，将描述第一实施例。第一实施例涉及一种半导体器件。
[0021][半导体器件的构造][0022]首先，将描述根据第一实施例的半导体器件的截面构造。图1是示出根据第一实施例的半导体器件的截面图。
[0023]如图1所示，根据第一实施例的半导体器件1具有半导体元件10、半导体元件20、柔性布线基板40和柔性布线基板80。例如，使用硅(Si)或碳化硅(SiC)的器件可以用作半导体元件10和20中的每一个。例如，使用氮化镓(GaN)、砷化镓(GaAs)等的器件也可以用作半导体元件10、20。例如，用作有源元件的半导体元件(例如，诸如CPU等硅芯片)、绝缘栅双极晶体管(IGBT)、金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)、二极管等可以用作半导体元件10、20。根据本实施例的半导体元件10、20是包括设置在其正面和背面中的电极的半导体元件。半导体元件10、20的平面形状可以被设定为具有任何形状和任何尺寸。半导体元件10、20例如就平面形状而言形成为矩形形状。半导体元件10、20的厚度例如可以设定在约50μm至500μm的范围内。
[0024]半导体元件10具有一个面10A和位于面10A相反侧的另一面10B。另外，半导体元件10具有主体部分15、电极11、电极12和电极13。电极11和电极13设置在面10A中，并且电极12设置在另一面10B中。例如，电极11、电极12和电极13可以分别被设定为源电极、漏电极和栅电极。
[0025]半导体元件20具有一个面20A和位于面20A相反侧的另一面20B。另外，半导体元件20具有主体部分25、电极21、电极22和电极23。电极21和电极23设置在面20A中，并且电极22设置在另一面20B中。例如，电极21、电极22和电极23可以分别被设定为源电极、漏电极和栅电极。
[0026]例如，作为电极11、电极12、电极13、电极21、本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体器件，包括：第一半导体元件，其包括第一面和与所述第一面相反的第二面，其中，所述第一面中设置有第一电极，并且所述第二面中设置有第二电极；第二半导体元件，其包括第三面和与所述第三面相反的第四面，其中，所述第三面中设置有第三电极，并且所述第四面中设置有第四电极；第一绝缘基底构件，其包括第五面和与所述第五面相反的第六面，所述第一半导体元件的所述第一面粘接至所述第五面；第一布线，其贯穿所述第一绝缘基底构件而与所述第一电极电连接，并且布置在所述第一绝缘基底构件的所述第六面上；第二绝缘基底构件，其包括第七面和与所述第七面相反的第八面，所述第二半导体元件的所述第三面粘接至所述第七面；第二布线，其贯穿所述第二绝缘基底构件而与所述第三电极电连接，并且布置在所述第二绝缘基底构件的所述第八面上；第一布线构件，其与所述第一半导体元件的所述第二电极电连接；第二布线构件，其与所述第一绝缘基底构件的所述第六面相对，并且与所述第一布线和所述第二半导体元件的所述第四电极电连接；以及第三布线构件，其与所述第二绝缘基底构件的所述第八面相对，并且与所述第二布线电连接，其中，所述第一布线构件和所述第三布线构件彼此面对并且彼此电连接；并且电流在所述第一布线构件中沿第一方向流动，并且在所述第三布线构件中沿与所述第一方向相反的第二方向流动。2.根据权利要求1所述的半导体器件，还包括：第一导电粘接层，其将所述第一布线构件和所述第二电极彼此结合；以及第二导电粘接层，其将所述第三布线构件和所述第二布线彼此结合。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中：所述第一布线构件具有第一引线端子；并且所述第三布线构件具有第二引线端子。4.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中：所述第一布线构件包括第一布线基板；并且所述第三布线构件包括第二布线基板。5.根据权利要求1或2所述的半导体器件，还包括：第三导电粘接层，其将所述第二布线构件和所述第一布线彼此结合；以及第四导电粘接层，其将所述第二布线构件和所述第四电极彼此结合。6.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中：所述第二布线构件包括第三引线端子。7.根据权利要求1或2所述的半导体器件，其中：所述第二布线构件包括第三布线基板。8.一种半导体器件，包括：
第一半导体元件，其包括第一面和与所述第一面相反的第二面，其中，所述第一面中设置有第一电极，并且所述第二面中设置有第二电极；第二半导体元件，其包括第三面和与所述第三面相反的第四面，其中，所述第三面中设置有第三电极，并且所述第四面中设置有第四电极；第一绝缘基底构件，其包括第五面和与所述第五面相反的第六面，所述第一半导体元件的所述第一面粘接至所述第五面；第一布线，其贯穿所述第一绝缘基底构件而与所述第一电极电连接，并且布...

【专利技术属性】
技术研发人员：伊藤仁志，孝井健一，
申请(专利权)人：新光电气工业株式会社，
类型：发明
国别省市：