【技术实现步骤摘要】
半导体器件
[0001]本专利技术涉及一种半导体器件。
技术介绍
[0002]已知一种半导体器件,其中每个半导体元件通过粘接层附接至诸如聚酰亚胺等树脂膜,并且在树脂膜的与粘接层相反侧的表面上形成布线层(例如,参见JP
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A
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2016
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046523)。
[0003]另一方面,为了实现半导体器件的高速切换操作,要求进一步降低半导体器件中产生的电感。
[0004]本公开旨在提供一种能够减小电感的半导体器件。
技术实现思路
[0005]某实施例提供了一种半导体器件。该半导体器件包括:第一半导体元件,其包括第一面和与第一面相反的第二面,其中,第一面中设置有第一电极并且第二面中设置有第二电极;第二半导体元件,其包括第三面和与第三面相反的第四面,其中,第三面中设置有第三电极并且第四面中设置有第四电极;第一绝缘基底构件,其包括第五面和与第五面相反的第六面,第一半导体元件的第一面粘接至第五面;第二绝缘基底构件,其包括第七面和与第七面相反的第八面,第二半导体元件的第三面粘接至第七面;第一布线,其贯穿第一绝缘基底构件而与第一电极电连接,并且布置在第一绝缘基底构件的第六面上;第二布线,其贯穿第二绝缘基底构件而与第三电极电连接,并且布置在第二绝缘基底构件的第八面上;第一布线构件,其与第一半导体元件的第二面相对,并且与第二电极电连接;以及
[0006]第二布线构件,其设置在第二布线上以电连接到第二布线。第一布线构件设置在第二绝缘基底构件的第七面上。 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体器件,包括:第一半导体元件,其包括第一面和与所述第一面相反的第二面,其中,所述第一面中设置有第一电极并且所述第二面中设置有第二电极;第二半导体元件,其包括第三面和与所述第三面相反的第四面,其中,所述第三面中设置有第三电极并且所述第四面中设置有第四电极;第一绝缘基底构件,其包括第五面和与所述第五面相反的第六面,所述第一半导体元件的所述第一面粘接至所述第五面;第二绝缘基底构件,其包括第七面和与所述第七面相反的第八面,所述第二半导体元件的所述第三面粘接至所述第七面;第一布线,其贯穿所述第一绝缘基底构件而与所述第一电极电连接,并且布置在所述第一绝缘基底构件的所述第六面上;第二布线,其贯穿所述第二绝缘基底构件而与所述第三电极电连接,并且布置在所述第二绝缘基底构件的所述第八面上;第一布线构件,其与所述第一半导体元件的所述第二面相对,并且与所述第二电极电连接;以及第二布线构件,其设置在所述第二布线上以电连接到所述第二布线,其中:所述第一布线构件设置在所述第二绝缘基底构件的所述第七面上;所述第一布线构件和所述第二布线构件彼此面对并且彼此电连接;并且电流在所述第一布线构件中沿第一方向流动,并且在所述第二布线构件中沿与所述第一方向相反的第二方向流动。2.根据权利要求1所述的半导体器件,其中:所述第一布线构件通过所述第一半导体元件、所述第一布线、所述第二半导体元件和所述第二布线电连接到所述第二布线构件。3.根据权利要求1或2所述的半导体器件,其中:所述第一布线构件和所述第二布线构件之间的距离由所述第二绝缘基底构件的厚度和布置在所述第二绝缘基底构件上的所述第二布线的厚度之和限定。4.根据权利要求1或2所述的半导体器件,还包括:第一导电粘接层,其将所述第一布线构件和所述第二电极彼此结合;以及第二导电粘接层,其将所述第二布线构件和所述第二布线彼此结合。5.根据权利要求1或2所述的半导体器件,其中:所述第一布线构件包括第一引线端子;并且所述第二布线构件包括第二引线端子。6.一种半导体器件,包括:第一半导体元件,其包括第一面和与所述第一面相反的第二面,其中,所述第一面中设置有第一电极并且所述第二面中设置有第二电极;第二半导体元件,其包括第三面和与所述第三面相反的第四面,其中,所述第三面中设置有第三电极并且所述第四面中设置有第四电极;第一绝缘基底构件,其包括第五面和在所述第五面的相反侧的第六面,所述第一半导
体元件的所述第一面粘接至所述第五面;第二绝缘基底构件,其包括第七面和与所述第七面相反的第八面,所述第二半导体元件的所述第三面粘接至所述第七面;第一布线,其贯穿所述第一绝缘基底构件而与所述第一电极电连接,并且布置在所述第一绝缘基底构件的所述第六面上;第二布线,其贯穿所述第二绝缘基底...
【专利技术属性】
技术研发人员:板东晃司,孝井健一,
申请(专利权)人:新光电气工业株式会社,
类型:发明
国别省市:
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