本发明专利技术涉及一种电子封装件及其制法，包括于线路结构的上侧配置电子元件，且以封装层包覆该电子元件，并于该封装层中埋设有作用结构，以令该作用结构外露于该封装层的表面，再将接合元件对应该作用结构的位置而配置于该线路结构的下侧，以于该接合元件与该作用结构之间形成热导通，故激光可经由该作用结构将热能传递至该接合元件，因而得以回焊该接合元件上的焊锡材料。上的焊锡材料。上的焊锡材料。
【技术实现步骤摘要】
电子封装件及其制法
[0001]本专利技术有关一种半导体封装制程，尤指一种具散热机制的电子封装件及其制法。
技术介绍
[0002]随着科技的演进，电子产品需求趋势朝向高密度线路/高传输速度/高叠层数/大尺寸设计的高阶产品迈进。该些产品随着芯片尺寸加大、及接点(I/O)数增多，而对热反应更为敏感，故在封装作业中的热制程，如回焊(reflow)制程，极易因各材料之间不同的热膨胀系数(Coefficient of thermal expansion，简称CTE)而使整体结构发生翘曲(warpage)，且也会因结构内部的热应力集中的情况而发生信赖性不良的问题。
[0003]目前激光辅助接合(laser assisted bonding，简称LAB)制程可选择性局部加热，且具备快速升温的特性，故可大幅缩减热制程的时间，因而能降低结构内部的热应力集中的情况，且经由控制激光波长及局部加热的特性，能大幅缩减翘曲的程度。
[0004]图1为现有半导体封装件1的示意图。如图1所示，该半导体封装件1通过于一具有介电层100与布线层101的基板结构10上以覆晶方式(经由焊锡凸块13)设置半导体芯片11，再以封装层12包覆该半导体芯片11。之后，该基板结构10下侧的导电凸块14,15可经由LAB制程将多个焊锡材料16,17接置于一电路板1a的接点19上。
[0005]然而，于进行LAB制程时，激光L的热能只能穿透该半导体芯片11而无法穿透该封装层12，导致该封装层12下方的导电凸块14的热能不足，因而造成该处的焊锡材料16发生未湿润(non
‑
wetting)的问题。
[0006]因此，如何克服上述现有技术的问题，实已成目前亟欲解决的课题。
技术实现思路
[0007]鉴于上述现有技术的种种缺陷，本专利技术提供一种电子封装件及其制法，可改善接合元件上的焊锡材料未湿润的问题。
[0008]本专利技术的电子封装件，包括：线路结构，其具有相对的第一侧与第二侧；电子元件，其配置于该线路结构的第一侧；封装层，其配置于该线路结构的第一侧以包覆该电子元件；作用结构，其嵌埋于该封装层中并位于该电子元件的周围，其中，该作用结构外露于该封装层的上表面并连通至该线路结构的第一侧；以及接合元件，对应该作用结构的位置而配置于该线路结构的第二侧上，以令该接合元件与该作用结构之间形成热导通。
[0009]本专利技术还提供一种电子封装件的制法，包括：提供一线路结构，其具有相对的第一侧与第二侧；将电子元件配置于该线路结构的第一侧；形成封装层于该线路结构的第一侧，以令该封装层包覆该电子元件，且于该封装层中对应该电子元件的周围嵌埋有作用结构，其中，该作用结构外露于该封装层的上表面并连通至该线路结构的第一侧；以及形成接合元件于该线路结构的第二侧上，使该接合元件对应该作用结构的位置，以令该接合元件与该作用结构之间形成热导通。
[0010]前述的制法中，该作用结构先形成于该线路结构的第一侧上，再将该封装层一并
包覆该作用结构与该电子元件。
[0011]前述的制法中，该线路结构的第一侧上设置该电子元件后，先令该封装层包覆该电子元件，再于该封装层上形成外露该第一侧的穿孔，之后，填充金属材于该穿孔中形成该作用结构。
[0012]前述的电子封装件及其制法中，该作用结构包含无电性功能的柱体。
[0013]前述的电子封装件及其制法中，该作用结构连接该线路结构的功能部。
[0014]前述的电子封装件及其制法中，该线路结构包含扇出型重布线路层。
[0015]前述的电子封装件及其制法中，该作用结构包含柱体，其作为中心并以其半径的2至3倍形成一圆形热影响区，以令该热影响区由该第一侧朝该第二侧的方向垂直投影，以于该线路结构中定义出热通道，使该接合元件至少局部对应落入该热通道的范围中。
[0016]前述的电子封装件及其制法中，该作用结构包含多个柱体，以令单一该接合元件对应至少二该柱体。
[0017]前述的电子封装件及其制法中，该作用结构包含至少一柱体，以令单一该柱体对应多个该接合元件。
[0018]前述的电子封装件及其制法中，该作用结构包含至少一柱体，且该柱体与该接合元件的直径比例为0.2至0.4或0.8至1.2。
[0019]由上可知，本专利技术的电子封装件及其制法中，主要经由该作用结构嵌埋于该封装层中并外露于该封装层的表面，使激光可经由该作用结构将热能传递至该线路结构第二侧的接合元件，因而得以回焊该接合元件上的焊锡材料，故相比于现有技术，本专利技术可有效改善该接合元件上的焊锡材料未湿润的问题。
附图说明
[0020]图1为现有半导体封装件的剖面示意图。
[0021]图2A至图2D为本专利技术的电子封装件的制法的剖视示意图。
[0022]图2E为图2D的后续制程的剖视示意图。
[0023]图3A至图3D为图2D的局部底视示意图。
[0024]图4A为图2B至图2C的另一方式的剖视示意图。
[0025]图4B为图2D的后续制程的另一方式的剖视示意图。
[0026]附图标记说明
[0027]1:半导体封装件
[0028]1a,3a:电路板
[0029]10:基板结构
[0030]100:介电层
[0031]101,201:布线层
[0032]11,41:半导体芯片
[0033]12,22:封装层
[0034]13:焊锡凸块
[0035]14,15:导电凸块
[0036]16,17,26,27,46:焊锡材料
[0037]19:接点
[0038]2:电子封装件
[0039]2a:作用结构
[0040]20:线路结构
[0041]20a:第一侧
[0042]20b:第二侧
[0043]200:绝缘层
[0044]202:功能部
[0045]21:电子元件
[0046]21a:作用面
[0047]21b:非作用面
[0048]211:导电凸块
[0049]212:绝缘材
[0050]22a:表面
[0051]23:第一柱体
[0052]23a:端面
[0053]24:接合元件
[0054]25:导电元件
[0055]28:第二柱体
[0056]30:接点
[0057]4:堆叠型封装件
[0058]4a:封装模块
[0059]40:穿孔
[0060]9:支撑板
[0061]A,A1,A2,A3,A4:热影响区
[0062]D:半径
[0063]L:激光
[0064]R,R1,R2:直径
[0065]S:热通道
[0066]Y:切割路径。
具体实施方式
[0067]以下经由特定的具体实施例说明本专利技术的实施方式，本领域技术人本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种电子封装件，包括：线路结构，其具有相对的第一侧与第二侧；电子元件，其配置于该线路结构的第一侧；封装层，其配置于该线路结构的第一侧以包覆该电子元件；作用结构，其嵌埋于该封装层中并位于该电子元件的周围，其中，该作用结构外露于该封装层的上表面并连通至该线路结构的第一侧；以及接合元件，其对应该作用结构的位置而配置于该线路结构的第二侧上，以令该接合元件与该作用结构之间形成热导通。2.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该作用结构包含无电性功能的柱体。3.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该作用结构连接该线路结构的功能部。4.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该线路结构包含扇出型重布线路层。5.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该作用结构包含柱体，其作为中心并以其半径的2至3倍形成一圆形热影响区，以令该热影响区由该第一侧朝该第二侧的方向垂直投影，俾于该线路结构中定义出热通道，而使该接合元件至少局部对应落入该热通道的范围中。6.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该作用结构包含多个柱体，以令单一该接合元件对应至少二该柱体。7.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该作用结构包含至少一柱体，以令单一该柱体对应多个该接合元件。8.如权利要求1所述的电子封装件，其中，该作用结构包含至少一柱体，且该柱体与该接合元件的直径比例为0.2至0.4或0.8至1.2。9.一种电子封装件的制法，包括：提供一线路结构，其具有相对的第一侧与第二侧；将电子元件配置于该线路结构的第一侧；形成封装层于该线路结构的第一侧，以令该封装层包覆该电子元件，且于该封装层中对应该电子元件的周围嵌埋作用结...
【专利技术属性】
技术研发人员：任泰欣，余国华，罗育民，洪维伸，
申请(专利权)人：矽品精密工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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