【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】布线基板的制造方法
[0001]本专利技术涉及一种布线基板的制造方法。
技术介绍
[0002]以半导体封装件的高密度化及高性能化为目的,提出了将不同性能的芯片混载于封装件的安装方式,因此成本方面优异的芯片之间的高密度互连技术变得重要(例如,参考专利文献1)。
[0003]将不同的封装件通过倒装芯片安装层叠在封装件上而连接的层叠式封装(Package on package)被广泛用于智能手机及平板终端(例如,参考非专利文献1、2)。另外,作为用于以高密度安装的方式,提出了使用具有高密度布线的有机基板的封装技术(有机中介层(interposer))、具有通模通孔(TMV)的扇出型的封装技术(FO
‑
WLP)、使用硅或玻璃中介层的封装技术、使用硅穿孔(TSV)的封装技术、将埋入基板中的芯片用于芯片间传输的封装技术等。尤其,在有机中介层及FO
‑
WLP中,当并列搭载半导体芯片彼此时,为了使其以高密度导通,需要微细布线层(例如,参考专利文献2)。
[0004]以往技术文献
[ ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种布线基板的制造方法,其包括:(A)在支撑基板上形成第1绝缘材料层的工序;(B)在所述第1绝缘材料层形成第1开口部的工序;(C)在所述第1绝缘材料层的表面上通过无电解镀敷形成种子层的工序;(D)在所述种子层的表面上设置布线部形成用的抗蚀剂图案的工序;(E)在所述种子层的表面且从所述抗蚀剂图案露出的区域,通过电解镀敷形成包括焊盘和布线的布线部的工序;(F)去除所述抗蚀剂图案的工序;(G)去除由于所述抗蚀剂图案的去除而露出的所述种子层的工序;(H)对所述焊盘的表面实施第1表面处理的工序;(I)以覆盖所述布线部的方式形成第2绝缘材料层的工序;(J)在所述第2绝缘材料层中的与所述焊盘对应的位置形成第2开口部的工序;(K)对所述焊盘的表面实施第2表面处理的工序;及(L)将所述第2绝缘材料层加热至所述第2绝缘材料层的玻璃化转变温度以上的温度的工序。2.根据权利要求1所述的布线基板的制造方法,其中,在实施所述第1表面处理的工序中,使用表面处理剂,在实施所述第2表面处理的工序中,从所述焊盘的表面去除所述表面处理剂。3.根据权利要求2所述的布线基板的制造...
【专利技术属性】
技术研发人员:鸟羽正也,藏渕和彦,增子崇,满仓一行,
申请(专利权)人:株式会社力森诺科,
类型:发明
国别省市:
还没有人留言评论。发表了对其他浏览者有用的留言会获得科技券。