【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】半导体装置
[0001]本专利技术涉及一种半导体装置。
技术介绍
[0002]半导体装置包括功率器件，并被用作电力转换装置。功率器件例如是IGBT(Insulated Gate Bipolar Transistor：绝缘栅双极型晶体管)、功率MOSFET(Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属氧化物半导体场效应晶体管)。此外，半导体装置包括包含功率器件的半导体芯片和分别配置有半导体芯片的多个陶瓷电路基板。多个陶瓷电路基板配置于冷却基底基板。来自半导体芯片的热在陶瓷电路基板传导，从冷却基底基板散热。由此，半导体芯片被冷却。此外，半导体装置的冷却基底基板的四角通过螺钉紧固于预定的设置区域。
[0003]现有技术文献
[0004]专利文献1：国际公开第2020/059285号
技术实现思路
[0005]技术问题
[0006]但是，由于半导体芯片的发热，与线膨胀系数之差对应地在陶瓷电路基板和冷却基底基板产生翘曲。特别是，由于冷却...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种半导体装置，其特征在于，具有：第一半导体芯片、第二半导体芯片；冷却基底基板，其在俯视时呈矩形状，依次配置有第一侧面、第二侧面、第三侧面以及第四侧面，并设定有与所述第一侧面和所述第三侧面平行且通过中心的中心线；以及绝缘电路基板，其包括绝缘板、配置于所述绝缘板的正面且搭载所述第一半导体芯片的高电位电路图案、搭载所述第二半导体芯片的中间电位电路图案、低电位电路图案以及控制电路图案，所述绝缘电路基板跨越所述中心线地配置于所述冷却基底基板的正面，所述高电位电路图案在所述中心线的所述第一侧面侧的侧部具备搭载所述第一半导体芯片的第一芯片搭载区域，所述中间电位电路图案呈在所述第四侧面侧具有开口的凹形状，并且具备包围所述第一芯片搭载区域的至少一部分的凹陷部、配置在所述中心线的所述第三侧面侧的侧部且搭载所述第二半导体芯片的第二芯片搭载区域、隔着所述凹陷部与所述第二芯片搭载区域相对的输出布线连接区域、以及将所述第二芯片搭载区域与所述输出布线连接区域相连且跨越所述中心线地配置的连通布线区域，所述控制电路图案在所述凹陷部的开口侧跨越所述中心线地配置。2.根据权利要求1所述的半导体装置，其特征在于，所述低电位电路图案被配置为隔着所述第二芯片搭载区域与所述第一芯片搭载区域相对。3.根据权利要求1或2所述的半导体装置，其特征在于，所述控制电路图案被配置为与所述第一芯片搭载区域和所述第二芯片搭载区域的所述第四侧面侧相邻。4.根据权利要求3所述的半导体装置，其特征在于，在所述高电位电路图案的所述第四侧面侧的边缘部的靠所述第三侧面侧的角部形成有第一切口区域，所述控制电路图案进入所述第一切口区域。5.根据权利要求4所述的半导体装置，其特征在于，所述中间电位电路图案的所述第二芯片搭载区域的所述第四侧面侧的端部位于比所述高电位电路图案的所述第四侧面侧的高电位边缘部和所述低电位电路图案的所述第四侧面侧的低电位边缘部靠第二侧面侧的位置，所述控制电路图案具备第一纵向延伸部，所述第一纵向延伸部被配置为与所述中间电位电路图案的所述第二芯片搭载区域的所述端部相邻，并且在俯视时与所述高电位电路图案的所述高电位边缘部和所述低电位电路图案的所述低电位边缘部呈同一平面。6.根据权利要求5所述的半导体装置，其特征在于，在所述中间电位电路图案的所述第二芯片搭载区域的所述端部的所述第三侧面侧的角部形成有第二切口区域，所述低电位电路图案具备进入所述第二切口区域的突出区域，所述控制电路图案还包括沿着所述第二切口区域与所述突出区域之间的间隙而进入所述间隙的第一横向延伸部。7.根据权利要求6所述的半导体装置，其特征在于，所述第二切口区域在俯视时呈矩形状，
所述低电位电路图案的所述突出区域与所述第二切口区域之间的所述间隙包括与所述中心线平行的第一部分。8.根据...
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