本发明专利技术提供一种高频模块(1)，具备：层叠多个层且具有第一主面(31)和第二主面(32)的层叠基板(30)、第一半导体元件(10)、第二半导体元件(20)、密封第一半导体元件(10)的第一塑模层(71)以及密封第二半导体元件(20)的第二塑模层(72)，在第一主面(31)设置第一凹部(40)，第一半导体元件(10)安装于第一凹部(40)的底面，第二半导体元件(20)安装于第一主面(31)以跨越第一凹部(40)，第一半导体元件(10)与金属导通孔(33)连接，该金属导通孔(33)从第一凹部(40)的底面贯通到第二主面(32)，第一塑模层(71)的材料与第二塑模层(72)的材料不同。(71)的材料与第二塑模层(72)的材料不同。(71)的材料与第二塑模层(72)的材料不同。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】高频模块以及通信装置
[0001]本专利技术涉及高频模块以及通信装置。
技术介绍
[0002]例如，在专利文献1中，公开了一种模块，该模块包含模块基板、安装于模块基板的一个主面的低噪声放大器、功率放大器及开关IC、以及安装于模块基板的另一个主面且由层叠多个陶瓷而成的结构构成的低温烧制陶瓷部件。通过这样的结构，能够实现模块的小型化。
[0003]专利文献1:日本特开2012－191039号公报
[0004]专利文献1所公开的层叠基板中的部件具有发热的部件，有通过贯通层叠基板的金属导通孔与这样的部件连接经由该金属导通孔进行散热的情况。然而，在层叠基板中，层叠有多个层，贯通多个层的金属导通孔的长度容易变长。即，存在散热路径容易变长，而得不到充分的散热性的担忧。
技术实现思路
[0005]因此，本专利技术的目的在于提供一种能够提高层叠基板的散热性的高频模块以及通信装置。
[0006]本专利技术的一个方式的高频模块具备：层叠多个层且具有第一主面和第二主面的层叠基板、第一半导体元件、第二半导体元件、密封第一半导体元件的第一塑模层以及密封第二半导体元件的第二塑模层，在第一主面设置第一凹部，第一半导体元件安装于第一凹部的底面，第二半导体元件安装于第一主面以跨越第一凹部，第一半导体元件与金属导通孔连接，其中，该金属导通孔从第一凹部的底面贯通到第二主面，第一塑模层的材料与第二塑模层的材料不同。
[0007]本专利技术的一个方式的通信装置具备：RF信号处理电路，对由天线收发的高频信号进行处理；以及上述的高频模块，在天线与RF信号处理电路之间传输高频信号。
[0008]根据本专利技术的高频模块等，能够提高层叠基板的散热性。
附图说明
[0009]图1A是表示实施方式的高频模块的一个例子的外观立体图。
[0010]图1B是表示实施方式的高频模块的一个例子的剖视图。
[0011]图1C是表示实施方式的高频模块的另一个例子的剖视图。
[0012]图2是表示实施方式的通信装置的第一例的电路结构图。
[0013]图3是表示实施方式的偏置调整电路的一个例子的电路结构图。
[0014]图4是表示实施方式的通信装置的第二例的电路结构图。
[0015]图5是表示实施方式的通信装置的第三例的电路结构图。
具体实施方式
[0016]以下，使用附图对本专利技术的实施方式进行详细说明。此外，以下说明的实施方式均表示总括性或者具体的例子。以下的实施方式中所示的数值、形状、材料、构成要素、构成要素的配置以及连接方式等是一个例子，并不是限定本专利技术的主旨。对于以下的实施方式中的构成要素中的未记载于独立权利要求的构成要素，作为任意的构成要素来进行说明。另外，附图中所示的构成要素的大小、或者大小之比未必是严格的。另外，在各图中，对于实质上相同的结构标注相同的附图标记，有省略或者简化重复的说明的情况。另外，在以下的实施方式中，所谓的“连接”不仅是直接连接的情况，也包含经由其他元件等电连接的情况。
[0017]另外，为了方便，将以下说明的各附图中的元件以及基板等的纸面上侧的面称为顶面，将纸面下侧的面称为底面，将凹部的纸面下侧的面称为底面。
[0018](实施方式)
[0019]以下，使用附图对实施方式进行说明。
[0020][高频模块的结构][0021]首先，对高频模块1的结构进行说明。
[0022]图1A是表示实施方式的高频模块1的一个例子的外观立体图。
[0023]图1B是表示实施方式的高频模块1的一个例子的剖视图。
[0024]高频模块1例如是用于处理(例如放大等)高频信号的模块。如图1A和图1B所示，高频模块1具备层叠基板30、第一半导体元件10、第二半导体元件20、安装部件60以及塑模层70。此外，在图1A中，使塑模层70透明。
[0025]层叠基板30层叠多个层而形成，具有第一主面31和第二主面32。作为层叠基板30，例如，可使用层叠多个电介质层而成的低温共烧陶瓷(Low Temperature Co－fired Ceramics：LTCC)基板、高温共烧陶瓷(High Temperature Co－fired Ceramics：HTCC)基板、部件内置基板、具有再布线层(Redistribution Layer：RDL)的基板、或者印刷电路基板等。在第一主面31，设置用于将部件等安装于高频模块1的端子，在第二主面32，设置用于将高频模块1安装于母基板等的端子。在第一主面31，设置第一凹部40和第二凹部50。例如，第二凹部50的深度比第一凹部40的深度浅。此外，所谓的深度，是指沿着层叠基板30的厚度方向(与层叠基板30的第一主面31和第二主面32正交的方向)的大小。作为层叠基板30中的各种导体(例如导体膜、金属导通孔以及端子等)，例如，可使用Al、Cu、Au、Ag、或者以这些金属的合金为主要成分的金属。
[0026]第一半导体元件10是安装在设置于层叠基板30的第一主面31的第一凹部40的底面(与层叠基板30的第一主面31中的未设置第一凹部40的面大致平行的面)的元件。例如，第一半导体元件10通过焊料凸块等安装在设置于第一凹部40的端子或者导体膜上。第一半导体元件10包含功率放大电路。将包含于第一半导体元件10的功率放大电路也称为第一功率放大电路。第一半导体元件10具有化合物半导体基板，例如，通过在化合物半导体基板形成第一功率放大电路，第一半导体元件10也可以包含第一功率放大电路。化合物半导体基板例如由GaAs、SiGe以及GaN中的至少任意一种构成。由此，能够由第一半导体元件10实现放大性能以及噪声性能优异的第一功率放大电路。由于功率放大电路是容易发热的电路，因此可以说第一半导体元件10是容易发热的元件。或者，由于化合物半导体基板的散热性较差，因此可以说第一半导体元件10是容易发热的元件。
[0027]第一半导体元件10与金属导通孔33连接，该金属导通孔33从第一凹部40的底面贯通到第二主面32。例如，金属导通孔33与设置于第二主面32的接地端子连接。此外，金属导通孔33也可以不一体地形成，也可以通过形成于层叠基板30的每个层的金属导通孔相互连接而形成。由于层叠基板30中的设置有第一凹部40的部分的厚度减薄第一凹部40的深度的量，因此从第一凹部40的底面贯通到第二主面32的金属导通孔33也缩短相应的量。
[0028]第二半导体元件20是安装于层叠基板30的第一主面31以跨越安装有第一半导体元件10的第一凹部40的元件。此外，在俯视高频模块1时(从第一主面31侧观察层叠基板30时)，第二半导体元件20可以安装为覆盖整个第一凹部40，也可以安装为覆盖第一凹部40的一部分。换言之，在俯视高频模块1时，可以成为第一凹部40被第二半导体元件20全部堵住而看不见的状态，也可以成为第一凹部40的一部分从第二半导体元件20露出而看得见的状态。第二半导体元件20包含低噪声放大电路、开关电路以及控制电路中的至少一个。第二半本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种高频模块，具备：层叠基板，层叠多个层，且具有第一主面和第二主面；第一半导体元件；第二半导体元件；第一塑模层，密封上述第一半导体元件；以及第二塑模层，密封上述第二半导体元件，在上述第一主面设置第一凹部，上述第一半导体元件安装于上述第一凹部的底面，上述第二半导体元件安装于上述第一主面以跨越上述第一凹部，上述第一半导体元件与金属导通孔连接，其中，上述金属导通孔从上述第一凹部的底面贯通到上述第二主面，上述第一塑模层的材料与上述第二塑模层的材料不同。2.根据权利要求1所述的高频模块，其中，上述第一塑模层的热导率高于上述第二塑模层的热导率。3.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，上述第一塑模层覆盖上述第一半导体元件的顶面，其中上述顶面是上述第一半导体元件的与上述第一凹部的底面侧的面相反侧的面。4.根据权利要求1或2所述的高频模块，其中，上述第一塑模层不覆盖上述第一半导体元件的顶面，其中，上述顶面是上述第一半导体元件的与上述第一凹部的底面侧的面相反侧的面。5.根据权利要求1～4中任一项所述的高频模块，其中，上述第一半导体元件具有化合物半导体基板，上述第二半导体元件具有Si半导体基板。6.根据权利要求1～5中任一项所述的高频模块，其中，上述第二半导体元件包含低噪声放大电路、开关电路以及控制电路中的至少一个。7.根据权利要求1～6中任一项所述的高频模块，其中，上述第一半导体元件包含第一功率放大电路。8.根据权利要求7所述的高频模块，其中，上述层叠基板具有导电体，其中，上述导电体至少形成于上述层叠基板的内部，对上述第一半导体元件和上述第二半导体元件进...
【专利技术属性】
技术研发人员：降谷孝治，
申请(专利权)人：株式会社村田制作所，
类型：发明
国别省市：
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