【技术实现步骤摘要】
半导体装置、基板及半导体装置的制造方法
[0001]本申请享受以日本特许申请2021
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192230号(申请日:2021年11月26日)为基础申请的优先权。本申请通过参照该基础申请而包含基础申请的全部内容。
[0002]本实施方式涉及半导体装置、基板及半导体装置的制造方法。
技术介绍
[0003]在半导体装置的封装构造中,有时半导体芯片被以倒装芯片的方式连接于布线基板。但是,由于半导体芯片的翘曲,有时将半导体芯片适当地连接于布线基板会变得困难。
技术实现思路
[0004]提供能够使芯片更适当地连接于基板的半导体装置、基板及半导体装置的制造方法。
[0005]本实施方式涉及的半导体装置具备:基板,其具有第1面、与所述第1面相反侧的第2面、设置在所述第1面上的多个导电连接部以及多个柱状电极,所述多个柱状电极设置为分别从多个所述导电连接部朝向所述第2面延伸,并具有锥形形状;和半导体芯片,其具有与所述第1面相对向的第3面和多个连接凸块,所述多个连接凸块设置在所述第3面上,并分别与多个 ...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体装置,具备:基板,其具有第1面、与所述第1面相反侧的第2面、设置在所述第1面上的多个导电连接部以及多个柱状电极,所述多个柱状电极设置为分别从多个所述导电连接部朝向所述第2面延伸,并具有锥形形状;和半导体芯片,其具有与所述第1面相对向的第3面和多个连接凸块,所述多个连接凸块设置在所述第3面上,并分别与多个所述导电连接部电连接,在供所述半导体芯片配置的所述第1面上的芯片区域中的第1区域配置的所述柱状电极具有与配置于所述芯片区域中的第2区域的所述柱状电极相反方向的锥形形状。2.根据权利要求1所述的半导体装置,配置于所述第1区域的所述导电连接部的上表面具有平坦形状,配置于所述第2区域的所述导电连接部的上表面具有凸形状。3.根据权利要求1所述的半导体装置,配置于所述第2区域的所述导电连接部具有与配置于所述第1区域的所述导电连接部不同的厚度。4.根据权利要求3所述的半导体装置,配置于所述第2区域的所述导电连接部比配置于所述第1区域的所述导电连接部厚。5.根据权利要求1所述的半导体装置,所述导电连接部的厚度随着从所述第1区域朝向所述第2区域而变化。6.根据权利要求1所述的半导体装置,所述导电连接部具有与具有宽度从所述第1面朝向所述第2面变小的锥形形状的所述柱状电极的宽度相应的厚度。7.根据权利要求1所述的半导体装置,配置于所述第1区域的所述柱状电极具有宽度从所述第1面朝向所述第2面变大的锥形形状,配置于所述第2区域的所述柱状电极具有宽度从所述第1面朝向所述第2面变小的锥形形状。8.根据权利要求1所述的半导体装置,配置于所述第1区域的所述柱状电极具有宽度从所述第1面朝...
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