【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】配线基板的制造方法、半导体装置的制造方法及树脂片
[0001]本专利技术涉及一种配线基板的制造方法、半导体装置的制造方法及树脂片。更具体而言，涉及一种用于高效且低成本地制造微细化或高密度化的要求高的配线基板及半导体装置的制造方法。
技术介绍
[0002]以半导体封装件的高密度化及高性能化为目的，提出有一种将不同性能的芯片混合搭载于一个封装件上的安装方式，并且在成本方面优异的芯片间的高密度互连技术变得重要(例如，参考专利文献1)。
[0003]通过利用倒装芯片(flip chip)安装而在封装件上层叠不同的封装件来连接的堆叠封装件(Package On Package)广泛用于智慧型手机及平板终端(例如，参考非专利文献1及非专利文献2)。作为用于以更高密度安装的方式，提出有一种使用了具有高密度配线的有机基板的封装技术(有机中介层)、具有封装穿孔(Through Mold Via：TMV)的扇出(fan out)型封装技术(FO
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WLP)、使用硅或玻璃中介层的封装技术、使用硅穿孔(through
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】1.一种配线基板的制造方法，其具备：准备结构体的工序，所述结构体在表面设置有金属层的支撑体上或设置于所述支撑体的内置配线层上安装有树脂片，所述树脂片在有机树脂中配置了玻璃纤维布；在所述树脂片的表面侧且不存在所述玻璃纤维布的第1树脂层区域通过准分子激光形成凹部的工序；形成开口部的工序，所述开口部从所述树脂片的表面到达所述支撑体上的所述金属层；以及在所述凹部及所述开口部形成配线层的工序。2.一种配线基板的制造方法，其具备：准备结构体的工序，所述结构体在表面设置有金属层的支撑体上或设置于所述支撑体的内置配线层上安装有树脂片，所述树脂片上依次形成有位于外侧的第1树脂层区域和弹性模量高于所述第1树脂层区域且位于内侧的高弹性层区域；在所述树脂片的表面侧且所述第1树脂层区域通过激光或压印形成凹部的工序；形成开口部的工序，所述开口部从所述树脂片的表面到达所述支撑体上的所述金属层；以及在所述凹部及所述开口部形成配线层的工序。3.根据权利要求2所述的配线基板的制造方法，其中，所述高弹性层区域通过将无机纤维及有机纤维中的至少一者配置于有机树脂材料中来形成。4.根据权利要求3所述的配线基板的制造方法，其中，所述无机纤维是玻璃纤维、陶瓷纤维及碳纤维中的至少一种，所述有机纤维是聚芳酰胺纤维及聚乙烯纤维中的至少一种。5.根据权利要求1至4中任一项所述的配线基板的制造方法，其中，所述树脂片的表面侧上的所述第1树脂层区域的厚度为5μm以上且20μm以下。6.根据权利要求1至5中任一项所述的配线基板的制造方法，其中，形成于所述第1树脂层区域的所述凹部的线宽为0.5μm以上且5μm以下。7.根据权利要求1至6中任一项所述的配线基板的制造方法，其中，所述树脂片在所述第1树脂层区域的相反侧具有第2树脂层区域，在所述准备结构体的工序中，通过所述第2树脂层区域在所述支撑体上或所述内置配线层上贴附所述树脂片来准备所述结构体。8.根据权利要求1至7中任一项所述的配线基板的制造方法，其中，在所述第1树脂层区域通过准分子激光形成所述凹部时，所述准分子激光的脉冲宽度为10纳秒以上且50纳秒以下，所述准分子激光的输出为10mJ/脉冲以上且1000mJ/脉冲以下。9.根据权利要求1至8中任一项所述的配线基板的制造方法，其中，在所述形成配线层的工序中，在所述凹部及所述开口部形成金属镀敷层来形成所述配线层，所述树脂片包含由能够与金属材料配位键合的杂芳香族环形成的成分，所述金属材料构成用于形成所述金属镀敷层的种子层。
10.根据权利要求1至9中任一项所述的配线基板的制造方法，其中，所述树脂片或包覆所述树脂片的包覆层包含激光光吸收性着色成分，所述激光光吸收性着色成分由无机染料、无机颜料、有机染料及有机颜料中的至少一种形成。11.根据权利要求1至10中任一项所述的配线基板的制造方法，其中，在所述形成配线层的工序中，在所述凹部及所述开口部设置基于无电解镀敷的种子层而形成金属镀敷层来形成所述配线层，所述树脂片包含用于形成所述无电解镀敷的催化剂。12.根据权利要求1至11中任一项所述的配线基板的制造方法，其中，所述形成配线...
【专利技术属性】
技术研发人员：鸟羽正也，满仓一行，山口真树，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：
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