半导体装置的制造方法制造方法及图纸

本发明专利技术的半导体装置的制造方法包括：准备工序，准备搭载有第1半导体芯片(3)的基板(2)和在第2半导体芯片(4)上层叠有黏合层(24)的带黏合层的半导体芯片(31)；及形成工序，以黏合层(24)朝向基板(2)的方式将带黏合层的半导体芯片(31)热压接于基板(2)，在基板(2)与第2半导体芯片(4)之间形成埋入第1半导体芯片(3)的埋入部(5)，在形成工序中，在压接前对黏合层(24)中将与第1半导体芯片(3)抵接的抵接区域R进行局部加热。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种半导体装置的制造方法。

技术介绍

1、近年来，已普及通过层叠为多层而成的半导体芯片实现高容量化的层叠式mcp(multi chip package：多芯片封装)。作为层叠式mcp的例子，可以举出芯片埋入型半导体封装件。半导体芯片通过胶黏剂膜被埋入的半导体封装件的结构被称为fod(film overdie：芯片包裹膜)。作为采用fod的半导体封装件的一例，有将配置于基板的一面的控制器芯片通过使用胶黏剂膜的埋入部埋入于基板与存储芯片之间的结构的半导体封装件(例如参考日本特开2014-175459号公报)。

2、在具有fod结构的半导体封装件的制造中，要求半导体芯片通过使用胶黏剂膜的埋入部被充分埋入(埋入性)。关于埋入性，同时抑制空隙变得重要。空隙是指在基板与存储芯片之间的埋入部内产生孔隙的现象。若在埋入部产生空隙，则认为这将影响半导体封装件的可靠性。

技术实现思路

1、本专利技术是为了解决上述课题而完成的，其目的在于提供一种能够抑制埋入部中的空隙的半导体装置的制造方法。

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【技术保护点】

1.一种半导体装置的制造方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

3.根据权利要求1所述的半导体装置的制造方法，其中，

【技术特征摘要】

1.一种半导体装置的制造方法，其包括：

2.根据权利要求1所述的半导体装置...

【专利技术属性】
技术研发人员：渡边成，仓桥骏介，中村奏美，西野崇行，板垣圭，
申请(专利权)人：株式会社力森诺科，
类型：发明
国别省市：