一种非带隙的高精度基准电压源制造技术

本发明专利技术公开了一种利用电子迁移率和ＭＯＳ管阈值电压对温度的变化呈反向趋势的原理，实现了一款非带隙的高精度基准电压源。由三部分电路构成：（１）启动电路，其主要用来解除在电路上电过程中有可能出现的电路死锁状态；（２）基准电流产生电路，其产生一个不随电源电压变化的基准电流；（３）基准电压产生电路，其利用镜像产生的基准电流，采用电子迁移率具有的正温度系数和ＭＯＳ管阈值电压具有的负温度系数相互调节的方法，实现了零温度系数的基准电压输出。本发明专利技术能够有效抑制输出随温度和电源电压变化而变化。同时其能完全兼容普通的ＣＭＯＳ工艺，同时具有结构简单，芯片面积小、输出范围大且精度比较高，因而能大幅降低系统成本。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
高精度非带隙基准电压产生电路，其特征在于：　由启动电路（１），基准电流产生电路（２），基准电压产生电路（３）构成；其中启动电路（１）由包括了ＭＯＳ管ＭＳ１～ＭＳ５，ＰＭＯＳ管ＭＳ１、ＭＳ３源极接电源，ＮＭＯＳ管的ＭＳ２、ＭＳ４、ＭＳ５ 的源极接地；ＭＳ１管的栅极与基准电流产生电路的（２）的Ｍ１管的栅、漏相连；ＭＳ１管的漏极与ＭＳ２、ＭＳ３、ＭＳ４管的栅极及ＭＳ２管的漏极相连；ＭＳ３管的漏极与ＭＳ４管的漏极及ＭＳ５管的栅极相连；ＭＳ５管的漏极与基准电流产生电路的（２）的Ｍ３、Ｍ５管的漏极及Ｍ３管的栅极相连；基准电流产生电路（２）由ＰＭＯＳ管Ｍ１～Ｍ４；ＮＭＯＳ管Ｍ５、Ｍ６以及电阻Ｒ０构成；Ｍ１、Ｍ２管的源极接电源，Ｍ６和电阻Ｒ０的一端接地；Ｍ１管栅漏短接后与Ｍ３管的源极以及基准电压产生电路（３）的Ｍ７管连接在一起；Ｍ２管的漏极与Ｍ４管的源极相连；Ｍ３管栅漏短接后与Ｍ５管漏端以及Ｍ４、Ｍ８的栅极相连；Ｍ５管的源极接电阻Ｒ０，Ｍ６管栅漏短接后与Ｍ５管的栅极及Ｍ４管的漏极相连连接在一起；基准电压产生电路（３）包括了ＰＭＯＳ管Ｍ７、Ｍ８、ＭＰ；ＮＭＯＳ管ＭＮ和电阻Ｒ１、Ｒ２；Ｍ７管的源极接电源，ＭＮ管的源极和电阻Ｒ２接地；电阻Ｒ１的一端与Ｍ８管的漏相连，一端与电阻Ｒ２和ＭＮ管的栅极连在一起；Ｍ７管的漏极连Ｍ８管的源极，Ｍ８管的漏极连ＭＰ管的源极；ＭＰ管的栅极与自身及ＭＮ管的漏极连在一起后形成了基准输出。...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：陈怒兴，肖海鹏，赵振宇，陈吉华，李少青，马卓，张民选，郭阳，方粮，白创，刘梅，黄冲，李俊丰，
申请(专利权)人：中国人民解放军国防科学技术大学，
类型：发明
国别省市：43[中国|湖南]