具有整合去耦合特征以及对准特征的半导体元件制造技术

本公开提供一种具有整合去耦合特征以及对准特征的半导体元件。该半导体元件具有一第一晶圆以及一第二标记；该第一标记包括一第一基底、一去耦合特征以及多个第一对准标记，该第一基底具有一介电堆叠，该去耦合特征设置在其中一个第一对准标记之下的该介电堆叠中，该多个第一对准标记设置在该第一基底上且相互平行；该第二晶圆设置在该第一晶圆上且包括多个第二对准标记，该多个第二对准标记设置在该多个第一对准标记上。在顶视图中，该多个第二对准标记平行于该多个第一对准标记且邻近该多个第一对准标记设置。该多个第一对准标记与该多个第二对准标记包括一荧光材料。该去耦合特征具有一瓶形剖面轮廓，且该去耦合特征包括一多孔低介电常数材料。一多孔低介电常数材料。一多孔低介电常数材料。

【技术实现步骤摘要】
具有整合去耦合特征以及对准特征的半导体元件
[0001]交叉引用
[0002]本申请案主张美国第17/556,149号及第17/555,712号专利申请案的优先权(即优先权日为“2021年12月20日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。


[0003]本公开关于一种半导体元件。特别涉及一种具有整合去耦合特征对准特征的半导体元件。

技术介绍

[0004]半导体元件使用在不同的电子应用，例如个人电脑、手机、数码相机，或其他电子设备。半导体元件的尺寸逐渐地变小，以符合计算能力所逐渐增加的需求。然而，在尺寸变小的工艺期间，增加不同的问题，且如此的问题在数量与复杂度上持续增加。因此，仍然持续着在达到改善品质、良率、效能与可靠度以及降低复杂度方面的挑战。
[0005]上文“的“现有技术”说明仅提供
技术介绍
，并未承认上文“的“现有技术”说明揭示本公开的标的，不构成本公开的现有技术，且上文“的“现有技术”的任何说明均不应作为本公开的任一部分。

技术实现思路

[0006]本公开的一实施例提供一种半导体元件，包括一第一晶圆本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体元件，包括：一第一晶圆，包括：一第一基底；以及多个第一对准标记，设置在该基底上且相互平行；以及一去耦合特征，设置在位在其中一个第一对准标记的介电堆叠中并具有一瓶形轮廓，其中该去耦合特征包括一多孔低介电常数材料；一第二晶圆，设置在该第一晶圆上，并包括：多个第二对准标记，设置在该多个第一对准标记上；其中在顶视图中，该多个第二对准标记平行于该多个第一对准标记设置，且邻近该多个第一对准标记设置；其中该多个第一对准标记与该多个第二对准标记包括一荧光材料；其中该多个第一对准标记与该多个第二对准标记一起配置成一第一组对准标记。2.如权利要求1所述的半导体元件，其中该荧光材料包括偶氮苯。3.如权利要求2所述的半导体元件，还包括一第二组对准标记，沿一第一方向与该第一组对准标记分隔开；其中该第一组对准标记沿一第二方向延伸，该第二方向垂直于该第一方向，且该第二组对准标记沿着该第一方向延伸。4.如权利要求3所述的半导体元件，还包括一第三组对准标记，沿该第二方向而与该第一组对准标记分隔开；其中该第三组对准标记沿该第一方向延伸。5.如权利要求4所述的半导体元件，还包括一第四组对准标记，沿一方向与该第一组对准标记分隔开，该方向相对该第一方向与该第二方向倾斜；其中该第四组对准标记沿该第二方向延伸。6.如权利要求4所述的半导体元件，还包括一第五组对准标记，沿一方向而与该第一组对准标记分隔开，该方向相对于该第一方向与该第二方向倾斜；其中该第五组对准标记沿该第一方向延伸。7.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一晶圆包括多个第一导电特征，垂直地围绕该多个第一对准标记设置。8.如权利要求7所述的半导体元件，其中该第一晶圆包括一第一下衬垫，设置在该多个第一导电特征与该多个第一对准标记之间。9.如权利要求8所述的半导体元件，其中该第一晶圆包括一第一上衬垫，设置在该多个第一对准标记上以及在该第一下衬垫上。10.如权利要求9所述的半导体元件，其中该第二晶圆包括一第二上衬垫，设置在该多个第二对准标记与该第一上衬垫之间。11.如权利要求10所述的半导体元件，其中该第二晶圆包括多个第二导电特征，垂直地围绕该多个第二对准标记以及设置在该第二上衬垫上。12.如权利要求11所述的半导体元件，其中该第二晶圆包括一第二下衬垫，设置在该多个第二对准标记与该多个第二导电特征之间，以及在该多个第二导电特征与该第二上衬垫之间。13.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一晶圆配置成多个逻辑芯片，且该第二晶圆配置成多个存储器芯片。
14.如权利要求2所述的半导体元件，其中该第一晶圆配置成多个存储器芯片，且该第二晶圆配置成多个存储器芯片。15.如权利要求11所述的半导体元件，其中该介电堆叠包括一第一介电层、一第二介电层、一中间介电层、一第三介电层以及一第四介电层，该第一介电层设置在该基底上，该第二介电层设置在该第一介电层上，该中间介电层设置在该第二介电层上，该第三介电层设置在该中间介电层上，该第四介电层设置在该第三介电层上，且该多个第二导电特征以及该去耦合特征设置在该中间介电层中。16.如权利要求15所述的半导体元件，其中该对准标记沿着该第四介电层与该第三介电层设置，且设置在该去耦合特征上。17.如权利要求15所述的半导体元件，还包括一第三组对准标记，其中该第三组对准标记沿着该第四介电层与该第三介电层设置，并延伸到该去耦合特征。18.如权利要求15所述的半导体元件，还包括一第三组对准标记，其中在该去耦合特征的多个侧壁的二凹处之间的一宽度，大于该第三组对准标记的一上表面的一宽度。19.一种半导体元件的制备方法，包括：提供一第一基底，该第一基底具有一介电堆叠；形成一去耦合特征在该介电堆叠中，且该去耦合特征具有一瓶形剖...

【专利技术属性】
技术研发人员：黄则尧，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：