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本公开提供一种具有整合去耦合特征以及对准特征的半导体元件。该半导体元件具有一第一晶圆以及一第二标记；该第一标记包括一第一基底、一去耦合特征以及多个第一对准标记，该第一基底具有一介电堆叠，该去耦合特征设置在其中一个第一对准标记之下的该介电堆叠...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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