高压MOS器件及其制备方法技术

本发明专利技术提供一种高压MOS器件及其制备方法。所述高压MOS器件包括衬底、栅极、源极、漏极、漂移区及多个隔离沟槽；所述栅极位于衬底内或衬底上表面；多个漂移区位于衬底内，且位于栅极的两侧，源极和漏极各自位于栅极两侧的漂移区内，源极和栅极之间以及漏极和栅极之间的衬底内间隔设置有多个隔离沟槽，相邻隔离沟槽之间的衬底表面设置有第一反型层。本申请经改善的结构设计，在源漏极与栅极之间的漂移区内间隔设置多个沟槽，且在隔离沟槽之间的漂移区表面形成反型层，有助于改善器件电场分布，避免形成局部场强尖峰，可在不增加器件导通电阻的同时提高器件击穿电压，有助于器件性能的进一步优化。进一步优化。进一步优化。

【技术实现步骤摘要】
高压MOS器件及其制备方法


[0001]本专利技术涉及半导体制造
，具体涉及一种半导体器件，特别是涉及一种高压MOS器件及其制备方法。

技术介绍

[0002]高压（high voltage）MOS（metal
‑
oxide
‑
semiconductor，金属氧化物半导体）器件是一种常用的功率器件。其工作原理为，当控制电压作用于栅极时，栅极与源极之间形成的电场会改变漏极与源极之间的电阻值。当控制电压增加时，漏极与源极之间的电阻值会逐渐降低，从而增加电流。相反，当控制电压降低时，漏极与源极之间的电阻值会逐渐增大，电流也会降低。由于其具有可靠性高，体积小，功耗低，响应速度快等优点，因而在电力电子、通信、汽车电子、航空航天等领域得到越来越广泛的应用。
[0003]对于高压MOS器件来说，其主要的指标包括在关断状态（off
‑
state）下的（Breakdown Voltage，简称BV）以及导通状态下的（on
‑
state）下的导通电阻（Rdson）。通常希望击穿电压本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种高压MOS器件，其特征在于，所述高压MOS器件包括衬底、栅极、源极、漏极、漂移区及多个隔离沟槽；所述栅极位于衬底内或衬底上表面；多个漂移区位于衬底内，且位于栅极的两侧，源极和漏极各自位于栅极两侧的漂移区内，源极和栅极之间以及漏极和栅极之间的衬底内间隔设置有多个隔离沟槽，相邻隔离沟槽之间的衬底表面设置有第一反型层。2.根据权利要求1所述的高压MOS器件，其特征在于，所述栅极为平面栅结构，所述高压MOS器件还设置有侧墙结构，所述侧墙结构自栅极侧面延伸到与栅极相邻的隔离沟槽表面。3.根据权利要求2所述的高压MOS器件，其特征在于，所述侧墙结构包括3个以上沿横向依次贴合的绝缘层，且沿远离栅极的方向，各绝缘层的介电常数依次增大。4.根据权利要求1所述的高压MOS器件，其特征在于，所述栅极为沟槽栅，包括栅氧化层以及填充于栅氧化层内侧的栅导电层，其中，沟槽栅底部的栅氧化层的厚度大于侧壁的栅氧化层...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔，
申请(专利权)人：粤芯半导体技术股份有限公司，
类型：发明
国别省市：