本申请实施例提供一种晶体管以及制作方法、集成电路、电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低晶体管中顶部沟道的自热效应，从而提高器件的可靠性。该晶体管包括衬底、源区、漏区和沟道区。其中，源区和漏区均突出于衬底表面，并且源区和漏区位于衬底的同一侧。沟道区位于源区与漏区之间。沟道区内设置有两个以上的沟道；每个沟道均连接源区和漏区；沿着垂直于衬底表面的方向，两个以上的沟道间隔排列，且沟道的宽度随着沟道与衬底的距离增大而减小，即沟道与衬底的距离越大，沟道的宽度越小，可以使该晶体管在工作状态下，降低顶部沟道的自热效应，以使沟道间的温升分布更均匀，从而提高该晶体管的可靠性以及包含该晶体管的集成电路的可靠性。路的可靠性。路的可靠性。路的可靠性。
【技术实现步骤摘要】
【国外来华专利技术】
【技术保护点】
【技术特征摘要】
【国外来华专利技术】
【专利技术属性】
技术研发人员：刘翔宇，孙永生，刘长泽，
申请(专利权)人：华为技术有限公司，
类型：发明
国别省市：
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