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本申请实施例提供一种晶体管以及制作方法、集成电路、电子设备，涉及半导体技术领域，用于降低晶体管中顶部沟道的自热效应，从而提高器件的可靠性。该晶体管包括衬底、源区、漏区和沟道区。其中，源区和漏区均突出于衬底表面，并且源区和漏区位于衬底的同一侧...
该专利属于华为技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过华为技术有限公司授权不得商用。

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