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本发明提供一种高压MOS器件及其制备方法。所述高压MOS器件包括衬底、栅极、源极、漏极、漂移区及多个隔离沟槽；所述栅极位于衬底内或衬底上表面；多个漂移区位于衬底内，且位于栅极的两侧，源极和漏极各自位于栅极两侧的漂移区内，源极和栅极之间以及漏...
该专利属于粤芯半导体技术股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过粤芯半导体技术股份有限公司授权不得商用。

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