一种浸蚀硅片方法技术

本发明专利技术涉及硅片加工方法，特别涉及浸蚀硅片方法；一种浸蚀硅片的方法，如下步骤：配制腐蚀液氟化氢铵水溶液１５－１８ｍｏｌ／ｍｌ，腐蚀液浸没硅片，腐蚀硅片３００－６００秒，取出硅片依次放入７０－８０℃，５５－６５℃，４５－５５℃纯净水中清洗，每次３－５分钟；将洗净的硅片放在硫酸和重铬酸钾溶液中煮沸；热水流洗２－３分钟；然后放在纯净水中煮沸２分钟；把硅片浸在无水乙醇中用超声波震荡３－７分钟；烘箱烘烤，直至烤干、成品；本发明专利技术采用氟化氢铵水溶液代替两步清洗ＮＨ４ＯＨ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ和清洗液ＨＣｌ／Ｈ２Ｏ２／Ｈ２Ｏ，采用氟化氢铵水溶液，有效的避免硅片表面粗糙化，提高硅片活力。

【技术实现步骤摘要】

【技术保护点】
一种浸蚀硅片的方法，其特征在于如下步骤：　　　　ａ．腐蚀液的配制：氟化氢铵水溶液１５－１８ｍｏｌ／ｍｌ；　　　　ｂ．腐蚀液浸没硅片，腐蚀硅片３００－６００秒，取出硅片依次放入７０－８０℃，５５－６５℃，４５－５５℃纯净水中清洗，每次３－５分钟；　　　　ｃ．将洗净的硅片放在硫酸和重铬酸钾溶液中煮沸；　　　　ｄ．热水流洗２－３分钟；　　　　ｅ．然后放在纯净水中煮沸２分钟；　　　　ｆ．把硅片浸在无水乙醇中用超声波震荡３－７分钟；　　　　ｇ．烘箱烘烤，直至烤干、成品。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：聂金根，
申请(专利权)人：镇江市港南电子有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]