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本发明涉及硅片加工方法，特别涉及浸蚀硅片方法；一种浸蚀硅片的方法，如下步骤：配制腐蚀液氟化氢铵水溶液１５－１８ｍｏｌ／ｍｌ，腐蚀液浸没硅片，腐蚀硅片３００－６００秒，取出硅片依次放入７０－８０℃，５５－６５℃，４５－５５℃纯净水中清洗，每次...
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