ESD保护器件、制作方法及芯片技术

本申请公开了一种ESD保护器件、制作方法及芯片，涉及半导体器件技术领域。ESD保护器件包括半导体衬底；分别形成于半导体衬底上的N型阱区和P型阱区；分别形成于N型阱区上的第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区；分别形成于P型阱区上的第二N型重掺杂区和第二P型重掺杂区。第二N型重掺杂区与第一P型重掺杂区相对设置，第二P型重掺杂区与第一N型重掺杂区相对设置。本申请实施例提供的ESD保护器件，不仅可以节省占用芯片的面积，而且可以在ESD保护器件中形成多组并联的寄生的NPN三极管和PNP三极管，从而使得寄生的NPN三极管和PNP三极管的开启电压更小、开启更加均匀，以提高ESD保护器件的稳定性。的稳定性。的稳定性。

【技术实现步骤摘要】
ESD保护器件、制作方法及芯片


[0001]本申请属于半导体器件
，尤其涉及一种ESD保护器件、制作方法及芯片。

技术介绍

[0002]随着半导体集成电路(integrated circuit，IC)的制造工艺的特征尺寸越来越小，芯片的尺寸也越来越小，芯片的抗静电能力变得越来越重要。静电放电(Electro
‑
Static discharge，ESD)对芯片破坏性的影响更加显著。
[0003]可控硅整流器(Silicon control Rectifier，SCR)可用于芯片的静电放电保护电路。但是，传统的SCR保护器件存在占用芯片面积较大、寄生的NPN三极管和PNP三极管的开启电压较高、开启不均匀的缺点，导致SCR保护器件的稳定性较差。

技术实现思路

[0004]本申请提供了一种ESD保护器件、制作方法及芯片，旨在解决传统的SCR保护器件存在的占用芯片面积较大、寄生的NPN三极管和PNP三极管的开启电压较高、开启不均匀的技术问题。
[0005]本申请实施例的第一方面提供了ESD保护器件，本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.ESD保护器件，其特征在于，包括：半导体衬底；N型阱区、P型阱区，分别形成于所述半导体衬底上，且所述N型阱区与所述P型阱区相互接触；第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区，分别形成于所述N型阱区上；第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区，分别形成于所述P型阱区上；其中，所述第二N型重掺杂区与所述第一P型重掺杂区相对设置，所述第二P型重掺杂区与所述第一N型重掺杂区相对设置；第一介质隔离层，形成于所述第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区上；第二介质隔离层，形成于所述第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区上；阳极金属层，形成于所述第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区以及所述第一介质隔离层上；阴极金属层，形成于所述第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区以及所述第二介质隔离层上。2.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，所述N型阱区为凹形结构，所述第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区填充于所述N型阱区的凹槽内。3.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，所述P型阱区为凹形结构，所述第二N型重掺杂区、第二P型重掺杂区填充于所述P型阱区的凹槽内。4.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，所述第一N型重掺杂区与所述第二P型重掺杂区平行设置。5.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，所述第二N型重掺杂区与所述第一P型重掺杂区平行设置。6.根据权利要求1所述的ESD保护器件，其特征在于，所述第一N型重掺杂区、第一P型重掺杂区的个数为多个，多个所述第一N型重掺杂区与多个所述第一P型重...

【专利技术属性】
技术研发人员：刘浩文，
申请(专利权)人：天狼芯半导体成都有限公司，
类型：发明
国别省市：