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本申请公开了一种ESD保护器件、制作方法及芯片，涉及半导体器件技术领域。ESD保护器件包括半导体衬底；分别形成于半导体衬底上的N型阱区和P型阱区；分别形成于N型阱区上的第一N型重掺杂区和第一P型重掺杂区；分别形成于P型阱区上的第二N型重掺杂...
该专利属于天狼芯半导体（成都）有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过天狼芯半导体（成都）有限公司授权不得商用。

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