半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

本申请案涉及半导体装置及其形成方法。一种设备包含：衬底；存储器单元区，其提供于所述衬底上方；外围区，其提供于所述衬底上方且邻近于所述存储器单元区；以及多个字线，其跨所述存储器单元区和所述外围区并行延伸；第一绝缘膜，其覆盖所述存储器单元区和所述外围区中的每一者中的所述多个字线的顶部表面，且覆盖所述外围区中的所述多个字线的上部部分的侧表面，而不覆盖所述存储器单元区中的所述多个字线的所述上部部分的侧表面。字线的所述上部部分的侧表面。字线的所述上部部分的侧表面。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法


[0001]本申请案涉及半导体装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]半导体存储器装置，例如诸如动态随机存取存储器(下文称为DRAM)的半导体存储器装置中正在推动进一步小型化，以便增加数据存储容量。举例来说，例如DRAM的字线等布线的重复间距的大小减小，且字线之间的距离也减小。然而，如果在待连接到字线的接触孔的形成期间，所述接触孔的直径增加，那么邻近字线可能短路。

技术实现思路

[0003]本申请案的一方面是针对一种设备，其包括：衬底；存储器单元区，其提供于所述衬底上方；外围区，其提供于所述衬底上方且邻近于所述存储器单元区；多个字线，其跨所述存储器单元区和所述外围区并行延伸；以及第一绝缘膜，其覆盖所述存储器单元区和所述外围区中的每一者中的所述多个字线的顶部表面，且覆盖所述外围区中的所述多个字线的上部部分的侧表面，而不覆盖所述存储器单元区中的所述多个字线的所述上部部分的侧表面。
[0004]本申请案的另一方面是针对一种应用于包含存储器单元区和邻近于所述存储器单元区提供的外围区的衬底的方法，所述方法本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：衬底；存储器单元区，其设置于所述衬底上方；外围区，其设置于所述衬底上方且邻近于所述存储器单元区；多个字线，其跨所述存储器单元区和所述外围区并行延伸；以及第一绝缘膜，其覆盖所述存储器单元区和所述外围区中的每一者中的所述多个字线的顶部表面，且覆盖所述外围区中的所述多个字线的上部部分的侧表面，而不覆盖所述存储器单元区中的所述多个字线的所述上部部分的侧表面。2.根据权利要求1所述的设备，其进一步包括在所述外围区中的所述第一绝缘膜上方的第二绝缘膜；以及多个字线接触件，其各自连接到所述多个字线中的对应字线，同时穿过所述第一和第二绝缘膜；其中所述多个字线接触件中的每一者包含由所述第二绝缘膜包围的上部部分和由所述第一绝缘膜包围的下部部分，且其中所述下部部分具有比所述上部部分的直径小的直径。3.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一绝缘膜包括不同于所述第二绝缘膜的材料的材料。4.根据权利要求2所述的设备，其中所述第一绝缘膜包括氮化硅，且所述第二绝缘膜包括二氧化硅。5.一种应用于包含存储器单元区和邻近于所述存储器单元区设置的外围区的衬底的方法，所述方法包括：在所述外围区中形成第一沟槽；用第一绝缘膜填充所述第一沟槽；形成平行于所述存储器单元区和所述外围区延伸的多个第二沟槽；用导电材料填充所述第二沟槽以形成多个字线；形成覆盖所述存储器单元区的掩模且使所述外围区暴露；用所述掩模来蚀刻所述第一绝缘膜，以使所述字线的上部部分暴露；以及形成第二绝缘膜以覆盖所述存储器单元区和所述外围区中的每一者中的所述多个字线的顶部表面，且覆盖所述外围区中的所述多个字线的侧表面的上部部分，而不覆盖所述存储器单元区中的所述多个字线的侧表面。6.根据权利要求5所述的方法，其进一步包括：在所述第二绝缘膜上形成第三绝缘膜；蚀刻所述第三绝缘膜和所述第二绝缘膜，以形成使所述字线的每一顶部表面暴露...

【专利技术属性】
技术研发人员：小林直义，巴山刚，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：