半导体装置及其形成方法制造方法及图纸

本申请涉及半导体装置及其形成方法。一种设备包含：有源区；划线区，其包围所述有源区；测试组件，其在所述划线区中；焊盘电极，其在所述有源区中；以及所述有源区中的上部布线层的电源布线，所述电源布线延伸于所述测试组件与所述焊盘电极之间；以及互连结构，其跨越所述有源区与所述划线区之间的边界耦合所述测试组件和所述焊盘电极，所述互连结构包含与所述电源布线交叉的下部布线层的布线部分。电源布线交叉的下部布线层的布线部分。电源布线交叉的下部布线层的布线部分。

【技术实现步骤摘要】
半导体装置及其形成方法


[0001]本申请涉及半导体装置及其形成方法。

技术介绍

[0002]最近，为了改进诸如动态随机存取存储器之类的半导体装置的密度，通过减小划线的大小来获得增加的芯片面积。用于测量在半导体电路中使用的电路元件的电性能的测试元件安置于划线上，但如果其上安置有用于测量的探针焊盘的焊盘电极安置于划线内部，那么焊盘电极妨碍划线的减少。因此，用于测量测试元件的焊盘电极安置于芯片内部。

技术实现思路

[0003]在一方面，本申请提供一种设备，其包括：有源区；划线区，其包围所述有源区；测试组件，其在所述划线区中；焊盘电极，其在所述有源区中；所述有源区中的上部布线层的电源布线，所述电源布线延伸于所述测试组件与所述焊盘电极之间；以及互连结构，其经配置以跨越所述有源区与所述划线区之间的边界耦合所述测试组件和所述焊盘电极，所述互连结构包含与所述电源布线交叉的下部布线层的布线部分。
[0004]在另一方面，本申请提供一种设备，其包括：有源区；划线区，其包围所述有源区；测试组件，其在所述划线区中；第一布线，其连接到所述划线区本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种设备，其包括：有源区；划线区，其包围所述有源区；测试组件，其在所述划线区中；焊盘电极，其在所述有源区中；所述有源区中的上部布线层的电源布线，所述电源布线延伸于所述测试组件与所述焊盘电极之间；以及互连结构，其经配置以跨越所述有源区与所述划线区之间的边界耦合所述测试组件和所述焊盘电极，所述互连结构包含与所述电源布线交叉的下部布线层的布线部分。2.根据权利要求1所述的设备，其中所述上部布线层在所述下部布线层正上方。3.根据权利要求1所述的设备，其中所述电源布线沿着所述有源区与所述划线区之间的所述边界延伸。4.根据权利要求3所述的设备，其中所述电源布线为最接近于所述有源区与所述划线区之间的所述边界的布线。5.根据权利要求1所述的设备，其中所述互连结构进一步包含所述布线部分与所述测试组件之间的熔丝元件，所述熔丝元件能够在熔丝被熔断时断开所述焊盘电极与所述测试组件之间的电连接。6.根据权利要求5所述的设备，其中所述熔丝元件形成于所述划线区中的孔中。7.根据权利要求6所述的设备，其中形成所述熔丝元件的导电材料设置于所述孔的底表面和第一方向侧表面上，且不设置于所述孔的第二方向侧表面上，所述第二方向不同于所述第一方向。8.根据权利要求7所述的设备，其中形成所述熔丝元件的所述导电材料的膜厚度在所述孔中比在所述孔外部更小。9.根据权利要求5所述的设备，其中所述熔丝元件包含宽度小于其它区的宽度的布线。10.根据权利要求5所述的设备，其中所述焊盘电极为第一焊盘电极，所述设备进一步包括所述划线区中的第二焊盘电极，且所述熔丝元件布置于所述第一焊盘电极与所述第二焊盘电极之间。11.根据权利要求10所述的设备，其进一步包括耦合于所述第一焊盘电极与所述熔丝元件之间的第三焊盘电极。12.根据权利要求5所述的设备，其进一步包括至少覆盖上部布线层的所述电源布线、所述有源区中的所述焊盘电极和所述划线区中的所述熔丝元件的覆盖膜，所述覆盖膜具有开口以暴露所述焊盘电极的上部表面。13.一种设备，其包括：有源区；划线区，其包围所述有源区；测试组件，其在所述划线区中；第一布线，其连接到所述划线区中的所述测试组件；焊盘...

【专利技术属性】
技术研发人员：百田晴香，安森浩司，川北惠三，
申请(专利权)人：美光科技公司，
类型：发明
国别省市：