动态存储器及其制作方法、存储装置制造方法及图纸

本申请提供一种动态存储器及其制作方法、存储装置，动态存储器包括衬底和层叠的设置在衬底上的多个存储阵列，存储阵列包括多个阵列排布的存储单元。存储单元包括晶体管、电容、字线和位线，字线位于晶体管的栅极处，字线沿垂直于衬底表面的方向延伸，多个层叠设置的存储单元共用一个字线；位线与晶体管的源极电连接，位于同一层的多个晶体管通过一个位线互相电连接。通过将包括多个存储单元的存储阵列层叠设置，使得存储单元的结构布局更加紧凑。另一个方面，通过使多个层叠设置的存储单元共用一个字线，并使位于同一层的多个晶体管通过一个位线互相电连接，由此进一步地简化了动态存储器的结构，并且有利于简化动态存储器的制作工艺。工艺。工艺。

【技术实现步骤摘要】
动态存储器及其制作方法、存储装置


[0001]本申请涉及半导体器件
，具体而言，本申请涉及一种动态存储器及其制作方法、存储装置。

技术介绍

[0002]动态随机存取存储器(Dynamic Random Access Memory，DRAM)是一种半导体存储器，和静态存储器相比，DRAM存储器具有结构较为简单、制造成本较低、容量密度较高的优点，随着技术的发展，DRAM存储器越来越广泛地被应用于服务器、智能手机、个人电脑等电子装置之中。
[0003]DRAM存储器通常包括多个存储单元，为了提高DRAM存储器的存储容量，需要增加存储单元的数量。然而，增加存储单元的数量又占用较大的面积，使得结构不够紧凑，不利于器件的集成。

技术实现思路

[0004]本申请针对现有方式的缺点，提出一种动态存储器及其制作方法，用以解决现有技术中DRAM存储器存在的占用面积较大的问题。
[0005]第一个方面，本申请实施例提供了一种动态存储器，包括衬底和层叠的设置在所述衬底上的多个存储阵列，所述存储阵列包括多个阵列排布的存储单元，所述存本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种动态存储器，其特征在于，包括衬底和层叠的设置在所述衬底上的多个存储阵列，所述存储阵列包括多个阵列排布的存储单元，所述存储单元包括：晶体管，包括半导体层，所述半导体层包括源极、漏极以及设置在所述源极和所述漏极之间的沟道，所述晶体管还包括环绕所述沟道的栅极；电容，与所述晶体管电连接，所述电容位于所述晶体管的漏极处；所述动态存储器还包括字线和位线，所述字线位于所述晶体管的栅极处，所述字线沿垂直于所述衬底表面的方向延伸，多个层叠设置的所述存储单元共用一个所述字线；所述位线与所述晶体管的源极电连接，位于同一层的多个所述晶体管通过一个所述位线互相电连接。2.根据权利要求1所述的动态存储器，其特征在于，位于同一层的多个所述半导体层的源极互相连接。3.根据权利要求1所述的动态存储器，其特征在于，所述电容包括位于所述漏极处的内电极、介质层和外电极，所述内电极、所述介质层和所述外电极均围绕所述半导体层的漏极，所述内电极、所述介质层和所述外电极沿远离所述半导体层的方向依次分布。4.根据权利要求3所述的动态存储器，其特征在于，相邻两层所述存储阵列中所述存储单元的电容共用所述外电极。5.根据权利要求1所述的动态存储器，其特征在于，所述晶体管包括栅极和栅绝缘层，所述栅极和所述栅绝缘层围绕所述半导体层，所述栅极和所述栅绝缘层位于所述栅极处，所述栅极和所述栅绝缘层沿远离所述半导体层的方向依次分布。6.根据权利要求1至5中任一项所述的动态存储器，其特征在于，所述半导体层的材料包括IGZO；和/或，所述字线的材料包括ITO，所述位线的材料包括钨。7.一种存储装置，其特...

【专利技术属性】
技术研发人员：王祥升，王桂磊，赵超，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：