存储器及其访问方法、电子设备技术

本申请提供了一种存储器及其访问方法、电子设备，该存储器包括多个存储单元，存储单元包括第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管被配置为读晶体管，第二晶体管被配置为写晶体管；第一晶体管和第二晶体管沿平行于衬底的方向依次分布；第一晶体管包括第一栅极、第一半导体层、第一电极和第二电极，第二晶体管包括第二栅极、第二半导体层、第三电极和第四电极；第一半导体层与第二半导体层连接，第二栅极复用第一晶体管的背栅极，使得在读操作时，向无需访问的存储单元的第二晶体管的第二栅极施加第二电压，以调节第一晶体管的阈值电压，使得无需访问的存储单元的第一晶体管关断。采用本申请，能够将数据可靠的读出，同时能够避免或者有效降低串扰。者有效降低串扰。者有效降低串扰。

【技术实现步骤摘要】
存储器及其访问方法、电子设备


[0001]本申请涉及存储器领域，具体而言，本申请涉及一种存储器及其访问方法、电子设备。

技术介绍

[0002]传统的动态随机存取存储器(DRAM)的常规存储单元由一个晶体管和一个电容器组成。由于跨通道泄漏，存储的数据需要频繁刷新，从而显著增加了功耗。2T0C因无电容器备受关注。

技术实现思路

[0003]本申请提出一种存储器及其访问方法、电子设备。
[0004]第一方面，本申请实施例提供了一种存储器，包括:多个存储单元；
[0005]存储单元包括第一晶体管和第二晶体管；第一晶体管被配置为读晶体管，第二晶体管被配置为写晶体管；第一晶体管和第二晶体管沿平行于衬底的方向依次分布；
[0006]第一晶体管包括第一栅极、第一半导体层、第一电极、第二电极和背栅极，第二晶体管包括第二栅极、第二半导体层、第三电极和第四电极；
[0007]第一栅极沿平行于衬底的方向延伸，第一半导体层环绕第一栅极且与第一栅极绝缘；第二栅极沿垂直于衬底的方向延伸，第二半导体层环绕第二栅极且与第二栅极绝缘本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种存储器，其特征在于，包括:多个存储单元；所述存储单元包括第一晶体管和第二晶体管；所述第一晶体管被配置为读晶体管，所述第二晶体管被配置为写晶体管；所述第一晶体管和所述第二晶体管沿平行于衬底的方向依次分布；所述第一晶体管包括第一栅极、第一半导体层、第一电极、第二电极和背栅极，所述第二晶体管包括第二栅极、第二半导体层、第三电极和第四电极；所述第一栅极沿平行于衬底的方向延伸，所述第一半导体层环绕所述第一栅极且与所述第一栅极绝缘；所述第二栅极沿垂直于衬底的方向延伸，所述第二半导体层环绕所述第二栅极且与所述第二栅极绝缘；所述第一栅极与所述第二半导体层连接，所述第一栅极与所述第三电极连接，使得所述第一晶体管和所述第二晶体管连接；所述第一半导体层与所述第二半导体层连接，所述第二栅极复用为所述第一晶体管的所述背栅极。2.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一晶体管和所述第二晶体管均为N型晶体管。3.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一晶体管还包括第一栅介电层，所述第二晶体管还包括第二栅介电层；所述第一栅介电层设置在所述第一栅极与所述第一半导体层之间，且环绕所述第一栅极；所述第二栅介电层设置在所述第二栅极与所述第二半导体层之间，且环绕所述第二栅极；所述第一栅极介电层的介电常数K值小于所述第二栅极介电层的介电常数K值。4.根据权利要求3所述的存储器，其特征在于，所述第一栅介电层的介电常数K值小于7，所述第二栅介电层的介电常数K值大于7。5.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，在垂直于所述衬底的平面上，所述第一栅极的正投影与所述第二栅极的正投影存在交叠区域。6.根据权利要求1所述的存储器，其特征在于，所述第一电极和所述第二电极，均与所述第一半导体层连接；所述第四电极与所述第二半导体层连接；在垂直于所述衬底的截面上，所述第一电极、所述第二电极和所述第一栅极均位于所述第二栅极的第一侧，所述第四电极位于所述第二栅极的第二侧，所述第一侧和所述第二侧为相对的两侧。7.一种如权利要求1至6任一所述的存储器的访问方法，其特征在于，所述存储器还包括：多条读位线、多条读字线、多条写位线和多条写字线；多个存储单元呈阵列分布；所述第一晶体管的第一电极与所述读位线连接，所述第一晶体管的第二电极与所述读字线连接，所述第一晶体管的第一栅极与所述第二晶体管的第三电极连接，所述第二晶体管的第四电极与所述写位线连接，所述第二晶体管的第二栅极与所述写字线连接；所述第二栅极复用为所述第一晶体管的背栅极；
所述访问方法包括：读操作阶段：向待要访问的一行...

【专利技术属性】
技术研发人员：梁静，戴瑾，余泳，康卜文，
申请(专利权)人：北京超弦存储器研究院，
类型：发明
国别省市：