一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器技术

本申请提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，所述方法包括：提供衬底；衬底包括：有源区；在衬底上依次沉积第一介质层和第一阻挡层；在第一阻挡层上形成包括第一刻蚀图形的第一掩膜；其中，第一刻蚀图形包括：沿第一方向延伸的沟槽和均匀分布的刻蚀孔；其中，沟槽穿过刻蚀孔，刻蚀孔的深度大于沟槽的深度；沿第一刻蚀图形进行刻蚀，去除第一阻挡层，将第一介质层刻蚀形成导电槽。本申请能够以较少的光罩次数形成新颖的半导体结构，以进行金属布线。以进行金属布线。以进行金属布线。

【技术实现步骤摘要】
一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器


[0001]本申请涉及半导体工艺领域，尤其涉及一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器。

技术介绍

[0002]随着半导体技术的不断发展，集成电路不断追求高速度、高集成密度和低功耗。因而，集成电路中半导体器件结构尺寸也在不断微缩。
[0003]现有的半导体结构越来越难以满足发展的需要，半导体结构需要不断推陈出新，设计更多新颖的半导体结构。

技术实现思路

[0004]本申请实施例期望提出一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，能够以较少的光罩次数形成新颖的导电槽结构。
[0005]本申请的技术方案是这样实现的：
[0006]本申请实施例提供一种半导体结构的制备方法，所述方法包括：
[0007]提供衬底；所述衬底包括：有源区；
[0008]在所述衬底上依次沉积第一介质层和第一阻挡层；
[0009]在所述第一阻挡层上形成包括第一刻蚀图形的第一掩膜；其中，所述第一刻蚀图形包括：沿第一方向延伸的沟槽和均匀分布的刻蚀孔；本文档来自技高网...

【技术保护点】

【技术特征摘要】
1.一种半导体结构的制备方法，其特征在于，所述方法包括：提供衬底；所述衬底包括：有源区；在所述衬底上依次沉积第一介质层和第一阻挡层；在所述第一阻挡层上形成包括第一刻蚀图形的第一掩膜；其中，所述第一刻蚀图形包括：沿第一方向延伸的沟槽和均匀分布的刻蚀孔；其中，所述沟槽穿过所述刻蚀孔，所述刻蚀孔的深度大于所述沟槽的深度；沿所述第一刻蚀图形进行刻蚀，去除所述第一阻挡层，将所述第一介质层刻蚀形成导电槽。2.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述沿所述第一刻蚀图形进行刻蚀，去除所述第一阻挡层，将所述第一介质层刻蚀形成导电槽之后，所述方法还包括：填充所述导电槽，形成导电层；覆盖所述导电层，沉积第二介质层。3.根据权利要求1所述的制备方法，其特征在于，所述在所述第一阻挡层上形成包括第一刻蚀图形的第一掩膜，包括：在所述第一阻挡层上沉积第一掩膜；刻蚀所述第一掩膜，形成沿所述第一方向延伸的沟槽；所述沟槽的深度小于所述第一掩膜的厚度；刻蚀所述第一掩膜，形成均匀分布的所述刻蚀孔；所述刻蚀孔贯穿所述第一掩膜；所述沟槽和所述刻蚀孔组成所述第一刻蚀图形，从而形成包括所述第一刻蚀图形的所述第一掩膜。4.根据权利要求3所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述第一掩膜，形成沿所述第一方向延伸的沟槽，包括：在所述第一掩膜上依次沉积第二阻挡层和第三阻挡层；刻蚀所述第三阻挡层，形成沿所述第一方向延伸的心轴；所述心轴间隔设置；覆盖所述心轴的侧面形成侧墙；以所述侧墙为掩膜进行刻蚀，去除所述第二阻挡层，将所述第一掩膜刻蚀形成沿所述第一方向延伸的所述沟槽。5.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述刻蚀所述第三阻挡层，形成沿所述第一方向延伸的心轴，包括：在所述第三阻挡层上形成第二掩膜；所述第二掩膜包括沿所述第一方向延伸的第二刻蚀图形；沿所述第二刻蚀图形刻蚀所述第三阻挡层，形成沿所述第一方向延伸的所述心轴。6.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述覆盖所述心轴的侧面形成侧墙，包括：沉积硬掩膜层；所述硬掩膜层覆盖所述第二阻挡层和所述心轴；对所述硬掩膜层进行回刻，去除所述硬掩膜层的顶部直到暴露所述心轴，保留所述硬掩膜层的侧部作为所述侧墙。7.根据权利要求4所述的制备方法，其特征在于，所述以所述侧墙为掩膜进行刻蚀，去除所述第二阻挡层，将所述第一掩膜刻蚀形成沿所述第一方向延伸的所述沟槽，包...

【专利技术属性】
技术研发人员：于业笑，陈龙阳，刘忠明，孔忠，
申请(专利权)人：长鑫存储技术有限公司，
类型：发明
国别省市：