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本申请提供了一种半导体结构的制备方法、半导体结构和半导体存储器，所述方法包括：提供衬底；衬底包括：有源区；在衬底上依次沉积第一介质层和第一阻挡层；在第一阻挡层上形成包括第一刻蚀图形的第一掩膜；其中，第一刻蚀图形包括：沿第一方向延伸的沟槽和均...
该专利属于长鑫存储技术有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过长鑫存储技术有限公司授权不得商用。

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