【技术实现步骤摘要】
半导体存储器元件的制备方法
[0001]本专利技术主张美国第17/546,657号及第17/546,310号专利申请案的优先权(即优先权日为“2021年12月9日”)，其内容以全文引用的方式并入本文中。
[0002]本公开涉及一种存储器元件的制备方法。尤其涉及一种具有一位元线结构夹置在一对气隙之间的存储器元件的制备方法。
技术介绍
[0003]半导体元件广泛地使用在电子产业。半导体元件可具有相对较小的尺寸、多功能特性以及相对较低的制造成本。半导体元件包括用于储存逻辑数据的半导体存储器元件、用于处理逻辑数据的半导体逻辑元件(例如，随机存取存储器(RAM)以及只读存储器(ROM))，以及执行半导体存储器元件以及半导体逻辑元件的功能的混合半导体元件。
[0004]在动态随机存取存储器(DRAM)元件中，存在与漏电流相关的严重问题。一元件的一层间隔离层中的氧化硅与该元件的一半导体基底与该层间隔离层之间的一界面附近的硅之间的接合，或是一栅极介电层与该元件的一半导体基底与该栅极介电层之间的界面附近的硅之间的接合，导致一界...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器元件的制备方法，包括：接收一基底，该基底具有一单元区以及一周围区；形成一第一位元线结构在该单元区的一表面上，其中该第一位元线结构依序包括一位元线接触点、一钨层以及一氮化物层，该位元线接触点设置在该单元区的该表面上，该钨层设置在该位元线接触点上，该氮化物层设置在该钨层上，该第一位元线结构具有一上表面以及二侧壁，该上表面远离该基底，该二侧壁将该上表面连接到该基底，该第一位元线结构夹置在一对间隙子之间，其中每一个间隙子包括一间隙子氧化物层夹置在在二间隙子氮化物层之间，其中一阻挡层共形地覆盖邻近该第一位元线结构的多个所述侧壁以及该单元区的多个所述间隙子；沉积一着陆垫在该阻挡层上以及在该第一位元线结构的该上表面上；移除该着陆垫的一上角落以形成一倾斜表面，该倾斜表面将该着陆垫的一上表面连接到该着陆垫的一侧壁，其中该间隙子的一上开口形成在该倾斜表面中；从该上开口蚀刻该第一位元线结构的该氮化物层以及该间隙子氮化物层以便形成一凹面；从该凹面蚀刻该间隙子氧化物层以形成一气隙；以及沉积一氮化硅层以密封该气隙。2.如权利要求1所述的半导体存储器元件的制备方法，其中该基底为一硅基底、一砷化镓基底、一硅锗基底、一陶瓷基底、一石英基底、一玻璃基底或是一绝缘体上覆硅基底。3.如权利要求1所述的半导体存储器元件的制备方法，其中该基底为一多层结构，该多层结构具有依序堆叠在该基底上的一多晶硅层以及一金属层。4.如权利要求1所述的半导体存储器元件的制备方法，其中该基底包括一金属层。5.如权利要求1所述的半导体存储器元件的制备方法，在沉积一着陆垫在该阻挡层上以及在该第一位元线结构的该上表面上的步骤之前，还包括使用一还原剂执行一清洗工艺，其中该还原剂为选自下列所组成的群组：四氯化钛、四氯化钽或其组合。6.如权利要求1所述的半导体存储器元件的制备方法，其中沉积一着陆垫在该阻挡层上以及在该第一位元线结构的该上表面上的步骤，是使用原子层沉积所执行。7.如权利要求1所述的半导体存储器元件的制备方法，在沉积一着陆垫在该阻挡层上以及在该第一位元线结构的该上表面上之后，还包括执行一平坦化工艺。8.如权利要求1所述的半导体存储器元件的制备方法，其中执行一间隙子蚀刻以移除该着陆垫的该上角落，且该倾斜表面为一凸表面。9.如权利要求1所述的半导体存储器元件的制备方法，其中使用一氟化氢蒸气以从该上开口蚀刻该第一位元线结构的该氮化物层以及该间隙子氮化物层的步骤，是使用一各向异性干蚀刻工艺所执行。10.如权利要求1所述的半导体存储器元件的制备方法，其中从该上开口蚀刻该第一位元线结构的该氮化物层以及该间隙子氮化物层以便形成一凹面的步骤，是使用氟化氢蒸气以产生(NH4)2SiF
6(s)
所执行，而从该凹面蚀刻该间隙子氧化物层以形成一气隙的步骤，是使用氟化氢蒸气而通过控制(NH4)2...
【专利技术属性】
技术研发人员：罗浩展，吴星汉，王治权，赖振益，吴俊亨，
申请(专利权)人：南亚科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：
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