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本公开提供一种半导体存储器元件的制备方法。该制备方法包括接收一基底，该基底具有一单元区以及一周围区；形成一第一位元线结构在该单元区的一表面上；沉积一着陆垫在该阻挡层上以及在该第一位元线结构的该上表面上；移除该着陆垫的一上角落以形成一倾斜表面...
该专利属于南亚科技股份有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过南亚科技股份有限公司授权不得商用。

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