【技术实现步骤摘要】
半导体存储器装置及其制造方法
[0001]本专利申请要求于2021年12月10日在韩国知识产权局提交的第10
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2021
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0176522号韩国专利申请的优先权的权益，上述申请的全部内容通过引用包含于此。
[0002]本公开涉及一种半导体装置，具体地，涉及一种半导体存储器装置及其制造方法。
技术介绍
[0003]半导体装置由于其小尺寸、多功能和低成本而已被认为是电子行业中的重要元件。然而，随着电子行业的进步，对具有更高集成密度的半导体装置的需求不断增加。为了增加半导体装置的集成密度，需要减小构成半导体装置的图案的线宽。然而，越来越需要新颖且昂贵的曝光技术来减小图案的线宽，因此，增加半导体装置的集成密度变得困难。因此，为了克服在增加半导体存储器装置的集成密度时出现的各种困难，正在研究各种新技术。
技术实现思路
[0004]专利技术构思的一些实施例提供了一种简化制造半导体存储器装置的工艺并减少工艺变化的方法以及一种由该方法制造的半导体存储器装置。
[0005]根...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种半导体存储器装置，所述半导体存储器装置包括：基底，包括由器件隔离层限定的有源区域，每个有源区域包括第一杂质区和第二杂质区；字线，设置在有源区域上并且在第一方向上延伸；位线结构，位于字线上，每个位线结构包括连接到有源区域的第一杂质区的接触部以及设置在所述接触部上并在与第一方向交叉的第二方向上延伸的线部；接触插塞，位于位线结构之间并且连接到相应的第二杂质区；以及连接图案，将接触插塞连接到有源区域的第二杂质区，其中，每个连接图案包括：第一表面，面对所述接触部；以及第二表面，与第一表面相对，并且其中，当在平面图中观看时，所述第一表面在第一方向上是凹入的，并且所述第二表面在第一方向上是凸出的。2.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述第二表面的曲率半径大于所述第一表面的曲率半径。3.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，所述半导体存储器装置还包括覆盖所述线部的侧表面的间隔件，其中，间隔件延伸到所述第一表面与所述接触部之间的区域中。4.根据权利要求3所述的半导体存储器装置，其中，所述第一表面接触间隔件。5.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括与所述第二表面接触的分离绝缘图案，其中，分离绝缘图案的与所述第二表面接触的表面在第一方向上是凹入的。6.根据权利要求5所述的半导体存储器装置，其中，连接图案包括连接到相应的有源区域并且在第一方向上彼此相邻的第一连接图案和第二连接图案，并且其中，第一连接图案和第二连接图案关于分离绝缘图案具有镜像对称性。7.根据权利要求6所述的半导体存储器装置，其中，分离绝缘图案的第一表面与第一连接图案接触，并且分离绝缘图案的第二表面与第二连接图案接触。8.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，每个连接图案还包括第三表面和第四表面，第三表面和第四表面中的每个将第一表面连接到第二表面，并且当在平面图中观看时，所述第三表面和所述第四表面具有线形。9.根据权利要求8所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括至少部分地填充位线结构之间的空间的中间绝缘图案，其中，中间绝缘图案包括面对连接图案的第三表面的第一中间绝缘图案和面对连接图案的第四表面的第二中间绝缘图案。10.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，所述半导体存储器装置还包括在所述线部下方并与所述接触部的侧表面接触的侧壁绝缘图案，其中，当在平面图中观看时，每个接触部被一对侧壁绝缘图案和一对间隔件包围。11.根据权利要求10所述的半导体存储器装置，其中，每个侧壁绝缘图案包括：第一表面，与所述接触部的侧表面接触；以及
第二表面，与第一表面相对，其中，当在平面图中观看时，每个侧壁绝缘图案的第一表面在第二方向上是凹入的，并且每个侧壁绝缘图案的第二表面在第二方向上是凸出的。12.根据权利要求1所述的半导体存储器装置，其中，每个连接图案在其中心部分处在第一方向上的中心宽度小于所述...
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