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提供了一种半导体存储器装置。所述半导体存储器装置可以包括包含有源区域的基底。字线可以位于有源区域上并且可以在第一方向上延伸。位线结构可以位于字线上，并且每个位线结构可以包括连接到有源区域的第一杂质区的接触部以及位于所述接触部上并在第二方向上...
该专利属于三星电子株式会社所有，仅供学习研究参考，未经过三星电子株式会社授权不得商用。

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