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本申请案涉及半导体装置及其形成方法。一种设备包含：衬底；存储器单元区，其提供于所述衬底上方；外围区，其提供于所述衬底上方且邻近于所述存储器单元区；以及多个字线，其跨所述存储器单元区和所述外围区并行延伸；第一绝缘膜，其覆盖所述存储器单元区和所...
该专利属于美光科技公司所有，仅供学习研究参考，未经过美光科技公司授权不得商用。

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