阻变氧化物材料的Co3O4薄膜和制备方法及其应用技术

一种阻变氧化物材料的氧化钴薄膜，该薄膜为多晶态，其化学式为Ｃｏ↓［３］Ｏ↓［４］，薄膜厚度为２００ｎｍ，其制备方法是：（１）ＣｏＯ↓［ｘ］（０＜ｘ＜４／３）陶瓷靶材的制备；（２）将ＣｏＯ↓［ｘ］靶材固定在靶台上，衬底固定在衬底台上，均置于生长室中；（３）用机械泵和分子泵将生长室抽真空，关闭分子泵后，打开进气阀，向生长室通入氧气至氧气压２０Ｐａ；（４）用激光器的激光束通过透镜聚焦在ＣｏＯ↓［ｘ］靶材上；（５）用电阻炉加热衬底台，使衬底温度达６６０℃；（６）按单脉冲能量，确定沉积时间，在衬底上沉积厚度为２００ｎｍ的Ｃｏ↓［３］Ｏ↓［４］薄膜。用该薄膜制备非易失性阻变存储记忆元件，该元件的基本构型为三明治结构，即将一层多晶态氧化物Ｃｏ↓［３］Ｏ↓［４］薄膜沉积在下电极Ｐｔ电极膜上，用一根Ｐｔ探针作为上电极。构成一个记忆单元。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及微电子材料领域，具体涉及一种阻变氧化物0>304薄膜和制备方法及其在制备可快速读写的高密度非易失性阻变存储器件中的应用。
技术介绍
信息处理系统和信息存储系统是构成计算机的两大基本系统。当前使用 的信息存储系统包括易失性存储器和非易失性存储器。易失性存储器多用于 计算机系统的内部存储，在没有电源支持的时候，数据不能被保存。而非易 失存储器在没有电源支持的时候，能够保存原来的数据，所以广泛用于信息 系统的数据保存，如计算机、数码设备、工控设备等。当前使用的非易失性 磁性介质存储器，由于在读写过程中磁头与记录介质要发生机械移动，因而无法实现快速读写，记录密度也难以进一步提高。Flash电子存储技术的存 储速度优于磁性介质存储，但其在恶劣环境中可靠性较差，速度也不够理想。 除此之外，还有正在研究中的铁电存储器(FeRAM)、基于自旋电子材料的 M—RAM等，它们也因为各自的弱点而尚未大量被使用。阻性存储单元结构简单，具有电阻开关(resistive switching)特性的氧 化物薄膜材料夹于两电极(例如Pt)之间，这里电阻开关是指材料在电压循 环扫描过程中能够表现本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种阻变氧化物材料的氧化钴薄膜，其特征在于该薄膜为多晶态，其化学式为Ｃｏ↓［３］Ｏ↓［４］，薄膜厚度为２００ｎｍ。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：殷江，高旭，季剑锋，夏奕东，刘治国，
申请(专利权)人：南京大学，
类型：发明
国别省市：84[中国|南京]