发光二极管封装结构制造技术

本发明专利技术公开了一种发光二极管封装结构，包含一支撑基板、一发光二极管芯片、一挡胶结构以及一荧光胶。发光二极管芯片设置于支撑基板上并与支撑基板电性连接，且发光二极管芯片具有一基材及一设置于基材上的发光层。挡胶结构设置于发光二极管芯片的基材上且环设发光层，而荧光胶充填于挡胶结构、基材及发光层所形成的一区域内。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及发光二极管封装结构。还具体而言，本专利技术关于改善荧光粉分布的发 光二极管封装结构。
技术介绍
由于发光二极管(LED)具有高亮度、低耗电等特性，使得LED在照明、显示器等应 用方面，已迅速取代传统的光源。作为照明使用的光源，往往需要有高亮度的白光，因此，业 界已投注大量的心力在白光LED的研发上。目前，已知可使用荧光粉搭配蓝光芯片(例如GaN)，获得高亮度的白光发光二极 管。芯片所发出的蓝光，会激发荧光粉而产生另一波长的光线(例如为黄光)，通过蓝光及 黄光两种光线的混合，以获得期望的白光光色。其中，通常以点胶及表面涂布的方式，进行 发光二极管的封装。以点胶及表面涂布的方式，进行发光二极管的封装，其优点是工艺简单，但是在点 胶过程中，由于胶量的控制不易，极易造成色度不均勻的状况。例如，参照图1，说明现有技术的发光二极管封装结构的问题。于图1中，现有的发 光二极管封装结构10，包含支撑基板11，支撑基板11上设有配垫13 ；基板15 ；发光层17 ； 电极18 ；导线20，将电极18连接至支撑基板11上的配垫13 ；以及含有荧光粉的一荧光封 装胶体22，供将配垫13、基板15、发光层17、电极18及导线20密封于支撑基板11上。含有荧光粉的荧光封装胶体22，在点胶及表面涂布的过程中，自然会形成具有弧 度的半球型。即使荧光粉均勻分散于胶体中，由于发光层上方的胶体厚度不相同，从发光层 的不同区域发出的光，会经过不同数量的荧光粉，使发光二极管最终发出的光色随着胶体 的厚度而改变。现有的发光二极管封装结构受限于结构，无法有效地使荧光粉均勻地分散，因此 需要有一种改良的发光二极管封装结构，能够克服前述难题，以期达到较佳的色均勻度、较 快速的制造程序、以及较高的良率。
技术实现思路
为解决前述及现有技术的问题，本专利技术的一目的是通过形成挡胶结构，阻挡住荧 光胶的溢流，使荧光胶均勻覆盖于发光层上，以改善发光二极管光色不均勻的问题。本专利技术提出一种发光二极管封装结构，包含一支撑基板、一发光二极管芯片、一挡 胶结构以及一荧光胶。发光二极管设置于支撑基板上并与支撑基板电性连接，且发光二极 管芯片具有一基材及一设置于基材上的发光层。挡胶结构设置于发光二极管芯片的基材上 且环设发光层，而荧光胶充填于挡胶结构、基材及发光层所形成的一区域内。在本专利技术一实施例中，发光二极管封装结构还包含一封装胶体，配置于支撑基板 上，并覆盖发光二极管芯片。在本专利技术一实施例中，挡胶结构包括一第一金属层及一形成于第一金属层上的第■~iM^^· O在本专利技术一实施例中，挡胶结构选自包含下列的族群金(Au)、铬(Cr)、铜(Cu)、 银(Ag)、钼(Pt)、钛(Ti)、铝(Al)、及其合金。在本专利技术一实施例中，发光二极管芯片还包括一第一电极及一第二电极，第一电 极设置于发光二极管芯片的基材的一侧并与支撑基板连接，而第二电极设置于发光二极管 芯片上。在本专利技术一实施例中，第一电极与发光二极管芯片的基材电性连接，而第二电极 与一支撑基板上的配垫电性连接。第二电极通过一导线与支撑基板上的配垫电性连接。在本专利技术一实施例中，发光二极管芯片还包括一第一电极及一第二电极，第一电极与第二电极相对设置于发光二极管芯片的发光层上。第一电极及第二电极分别通过一导 线与一支撑基板上的配垫电性连接。在本专利技术一实施例中，荧光胶包括至少一种荧光粉。附图说明图1为现有技术的发光二极管封装结构示意图；图2为依据本专利技术的一实施例的一种发光二极管封装结构剖面示意图；图3为本专利技术的另一实施例的一种发光二极管封装结构结构剖面示意图。主要元件符号说明10发光二极管封装结构11支撑基板13配垫15基材17发光层18电极20导线22荧光封装胶体110支撑基板120第一电极130配垫132配垫150基材170发光层180第二电极190挡胶结构192第一金属层194第二金属层200导线202导线210荧光胶212 胶体214 荧光粉220 封装胶体具体实施例方式虽然将以多个较佳实施例来阐述本专利技术，但本领域中具有通常技艺者所了解的其它实施例(包含并未提供此文中所提及的所有优点及特征的实施例)亦落在本专利技术的范畴 中。因此，本专利技术的范畴是仅参考随附的申请专利范围及其均等范围所定义。本专利技术的目的、功能、特征、和优点能因下文中本专利技术的较佳的实施例，配合所附图式，而得到进一步的了解。请参考图2，为本专利技术一实施例的发光二极管封装结构的剖面示意图。本专利技术的发光二极管封装结构，包含一支撑基板110、一发光二极管芯片及一荧光胶210，荧光胶210由 至少一荧光粉214与一胶体212混合而成。详细而言，发光二极管芯片设置于支撑基板110上并与支撑基板110电性连接，发 光二极管芯片具有一基材150、发光层170及一挡胶结构190，其中发光层170设置基材150 上，发光层例如是包含铟的化合物或是包含铝的氮化物，依据发光颜色使用不同的化合物。 发光层170发出具有一特定波长的光线，且所发出的光线会激发荧光胶210产生另一波长 的光线，通过两种光线的混合，以获得期望的光色。值得注意的是，本专利技术的发光二极管封装结构形成一挡胶结构190于发光二极管 芯片的基材150上且环设发光层170，挡胶结构190包括一第一金属层192及一形成于第一 金属层192上的第二金属层194。要说明的是，由于电镀方式可以使膜厚较为快速地增加， 挡胶结构190先以蒸镀方式形成第一金属层192上，之后，再利用电镀方式使厚度增厚形成 第二金属层194，如此一来，可以有效地减少工艺所需的时间。在本实施例中，第一金属层 192的厚度为0. 3 μ m至2 μ m，第二金属层194的厚度为200 μ m至300 μ m。此外，挡胶结构 190选自包含下列的族群金(Au)、铬(Cr)、铜(Cu)、银(Ag)、钼(Pt)、钛(Ti)、铝(Al)及 其合金。由于本专利技术的发光二极管封装结构具有挡胶结构190，因此，在充填荧光胶210的 过程中，形成于发光层170周围的挡胶结构190会阻挡住荧光胶210的溢流，使荧光胶210 均勻覆盖于发光层170上，以改善发光二极管光色不均勻的问题。此外，在本专利技术一实施例中，发光二极管封装结构还包含一封装胶体220配置于 支撑基板110上，并覆盖发光二极管芯片。本专利技术的发光二极管封装结构具有一第一电极120及一第二电极180，第一电极 120及第二电极180有不同的设置位置。在一实施例中，第一电极120形成于发光二极管的 基材150的一侧并与支撑基板110连接，而第二电极180形成于发光二极管芯片的发光层 180上，而形成垂直导通式的发光二极管封装结构。其中第一电极120与发光二极管的基材 150电性连接，而第二电极180通过一导线200与支撑基板上的配垫130电性连接。当然， 第一电极120及第二电极180可以同时设置在发光二极管芯片的发光层上，如图3所绘示， 而第一电极120及第二电极180通过导线202，200分别与支撑基板上的配垫132，130连接。通过在本专利技术的发光二极管封装结构中，新颖结构，由于具有挡胶结构190设置在发光二极管芯片上，因此，可以有效阻挡避免施添加荧光胶210时产生的溢流的现象，使 荧光胶210及其中所含的本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种发光二极管封装结构，其特征在于包含：一支撑基板；一发光二极管芯片，设置于该支撑基板上并与该支撑基板电性连接，该发光二极管芯片具有一基材及一设置于该基材上的发光层；一挡胶结构，设置于该发光二极管芯片的基材上且环设该发光层；以及一荧光胶，充填于该挡胶结构、该基材及该发光层所形成的一区域内。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：翁思渊，
申请(专利权)人：亿光电子工业股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]