薄膜晶体管阵列基板制造技术

本发明专利技术是关于一种薄膜晶体管阵列基板，所述的薄膜晶体管阵列基板包含一绝缘基板、复数扫描线、数据线及像素单元。复数像素单元配合扫描线及数据线以区隔出各个像素单元并定义出一行方向及一列方向。各个像素单元包含一薄膜晶体管及一像素电极。薄膜晶体管与扫描线及数据线电性连接，像素电极具有至少一由边缘往内部延伸的开口及至少一沿列方向延伸的延伸部。像素电极的延伸部延伸进入于列方向相邻的另一像素电极的开口内，且同一扫描线于列方向间隔控制所述的这些像素单元。本发明专利技术提供的薄膜晶体管阵列基板，能以简化的驱动架构及较低成本获得良好的多域配向效果。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术是关于一种具多域配向效果的薄膜晶体管阵列基板。
技术介绍
现有利用介电异向性(dielectric anisotropy)为负的负型液晶材料，构成垂 直配向(vertical alignment)的液晶配向方式，因未施加电压时液晶分子即以垂 直基板方式排列，故可提供良好的对比(contrast)表现，然而，通常垂直配向 式液晶显示器(vertically aligned LCD)为形成多域分割效果，其所匹配的结构 会有些许漏光或是多域分割配置能力不足的情形。图8为剖面示意图，显示一现有多域垂直配向液晶显示器(multi-domain vertically aligned LCD; MVALCD)的设计。如图8所示，其于上、下基板102、 104上分别形成凸体(bump)106，其上再形成覆盖凸体(bump)106的垂直配向 膜108,使垂直配向的液晶分子112于未施加电压时即具有朝不同方向倾斜 的预倾角，藉以控制施加电压后的液晶分子112倾斜方向。当施加电压后， 液晶层即可分割为多个分别具不同倾斜方向的液晶微小区域，以有效改善不 同观察角度的灰阶显示状态下的视角特性，再者，作为提供预倾角的区域边 界规制结构(regulationstructure)并不限定为凸体106，亦可如图9所示，于基 板上形成凹面结构114亦可。如图8及图9所示，形成凸体106或凹面结构114方式虽可达到制造多 个液晶微小区域的效果，然而，在未施加电压(Voff)的状态下，比较穿透光 I,及12的光路可知，因该区域边界规制结构会导致液晶配向并非完全垂直， 故行经倾斜液晶分子的穿透光12光路会具有多余的光程差值(And^O)而造 成漏光，因此，另需透过外贴补偿膜方式将漏光消除以提高对比。图IO为一剖面示意图，显示另一多域垂直配向液晶显示器的设计。如图IO所示，禾l」用于基板202的透明电极204上所形成的开缝(slit)206，可控制 液晶分子208于施加电压后的倾倒方向，然而，于电极204处形成开缝206 的方式，须仔细考虑开缝206本身宽度以及两开缝206之间的距离等等，否 则通过开缝206产生使液晶分子208倾倒的力量容易不足，再者，该形成开 缝206的设计，造成液晶分子208往左右任一方向转动的能量相等，而使液 晶分子208于空间中的配向分布产生不连续的错向缺陷(disclination)，该错向 缺陷区域210于开缝206上方及两开缝206间皆容易形成，而降低整体光穿 透率。
技术实现思路
因此，本专利技术的目的在提供一种薄膜晶体管阵列基板，其能以简化的驱 动架构及较低成本获得良好的多域配向效果。依本专利技术的一实施例， 一种薄膜晶体管阵列基板包含一绝缘基板及形成 于绝缘基板上的复数扫描线、复数数据线及复数像素单元。复数像素单元配 合扫描线及数据线以区隔出各个像素单元并定义出一行方向及一列方向。各 个像素单元包含一薄膜晶体管及一像素电极。薄膜晶体管与扫描线及数据线 电性连接，像素电极具有至少一由边缘往内部延伸的开口及至少一沿列方向 延伸的延伸部。像素电极的延伸部延伸进入于列方向相邻的另一像素电极的 开口内，且同一扫描线于列方向间隔控制所述的这些像素单元。依本专利技术的另一实施例， 一种薄膜晶体管阵列基板包含一绝缘基板及形 成于绝缘基板上的复数扫描线、复数数据线及复数像素单元。复数像素单元 配合扫描线及数据线以区隔出各个像素单元且依横向及纵向分别定义出 一行 方向及一列方向。各个像素单元包含一薄膜晶体管及一像素电极。薄膜晶体 管与扫描线及数据线电性连接，像素电极具有至少一由边缘往内部延伸的开 口及至少一沿列方向延伸的延伸部。位于同一行的两相邻像素单元的薄膜晶 体管分别搭接两相邻的不同扫描线，且位于同一列的两相邻像素单元的薄膜 晶体管亦分别搭接两相邻的不同扫描线，以供每个像素单元的电压极性与其四周相邻的像素单元不同。通过本专利技术的设计，仅需利用一般薄膜晶体管制造工艺，即能形成可产 生边缘电场及多域配向效果的像素电极布局。和现有利用凸体或凹面结构的域边界规制结构设计相比，本专利技术于未施加电压(Voff)的状态下各个液晶分 子均呈垂直配向，故不会产生多余的光程差值(And-O)而可避免漏光现象产 生。再者，和现有于电极处形成开缝的方式相较，本专利技术通过辅助电极与像 素电极的不同极性所产生的边缘电场效应，可提供较强的液晶分子倾倒力量， 以增加显示区域有效面积且有效提升液晶显示器整体光穿透率。另一方面， 本专利技术通过同列相邻的像素电极延伸部以产生边缘电场的配向设计，需使每 个像素电极均与其四周相邻的像素电极具相反极性。因此，通过同一扫描线 交替搭接其上方及下方像素单元的薄膜晶体管的设计，以线反转驱动方式即 可获得每个像素电极均与其四周相邻的像素电极具相反极性的效果，而不需 使用耗费较大功率且驱动系统较复杂的点反转驱动控制，获得降低成本及省 电的效果。再者，因本专利技术仅利用水平延伸电极区段作为配向电极，如此可 以对开口率影响最小的方式获得多域配向效果。附图说明图1为依本专利技术的一实施例，显示一薄膜晶体管阵列基板的平面示意图。图2为图1简化后的平面示意图。图3为沿图1的A-A'线切割而得的剖面图。图4为显示本专利技术另一实施例的平面示意图。图5为图4简化后的平面示意图。图6为显示本专利技术另一实施例的平面示意图。图7为图6简化后的平面示意图。图8为剖面示意图，显示一现有多域垂直配向液晶显示器的设计。 图9为剖面示意图，显示另一现有多域垂直配向液晶显示器的设计。 图IO为一剖面示意图，显示另一多域垂直配向液晶显示器的设计。附图标号-10 薄膜晶体管阵列基板11 绝缘基板12、 14、 16、 22、 24、 26 像素电极121、 122、 141、 161 像素电极延伸部12P、 14P、 16P、 22P、 24P、 26P 像素单元12a、 12b、 14a、 14b、 16a、 16b、 22a、 22b 像素电极区块13 栅极区域15 储存电容下电极17 源/漏极区域19 绝缘层21 平坦化层23 储存电容上电极32、 34、 36、 62、 64、 66、 72、 74、 76 扫描线 42、 44、 46 数据线 52、 54 开口72a、 72b、 74a、 74b、 76a、 76b、 641、 642、 643 扫描线区段102、 104 基板106 凸体108 垂直配向膜112 液晶分子114 凹面结构202 基板204 电极206 开缝208 液晶分210 错向缺陷区域T、 Tl、 T2、 T3 薄膜晶体管具体实施例方式有关本专利技术的前述及其它
技术实现思路
、特点与功效，在以下配合参考图式 的实施例的详细说明中，将可清楚的呈现。以下实施例中所提到的方向用语， 例如上、下、左、右、前或后等，仅是参考附加图式的方向。因此，使用的方向用语是用来说明并非用来限制本专利技术。图1为依本专利技术的一实施例，显示一薄膜晶体管阵列基板10的平面示意 图。如图1所示， 一绝缘基板(图未示)上形成复数道相互平行的扫描线32、 34、 36，及相互平行的数据线42、 44、 46，且两相邻的扫描线正交于两相邻 的数据线而圈围出一像素单元分布区域，如薄膜晶体管T的主本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种薄膜晶体管阵列基板，其特征在于，所述的薄膜晶体管阵列基板包含：　一绝缘基板；　复数扫描线，形成于所述的绝缘基板表面；　一绝缘层，形成于所述的这些扫描线及所述的绝缘基板表面；　复数数据线，形成于所述的绝缘层表面；及复数像素单元，配合所述的这些扫描线及所述的这些数据线以区隔出各所述的像素单元并定义出一行方向及一列方向，各所述的像素单元包含：　一薄膜晶体管，与所述的扫描线及所述的数据线电性连接；及　一像素电极，具有至少一由边缘往内部延伸的开口及至少一沿所述的列方向延伸的延伸部，所述的像素电极的所述的延伸部延伸进入于列方向相邻的另一像素电极的开口内，且同一扫描线于列方向间隔控制所述的这些像素单元。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：王文俊，刘锦璋，王义方，
申请(专利权)人：胜华科技股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]