发光元件的封装结构制造技术

本发明专利技术揭示一发光元件的封装结构，该封装结构至少包含一发光元件及一载体。该发光元件是由一发光二极管芯片固着于一透明基板的一第一平面上，其中该发光二极管芯片至少包含一第一导电性半导体层、一有源层及一第二导电性半导体层。该载体则包含一ｐ电极、一ｎ电极、一平台与一反射面侧壁。该封装结构利用一连接材料将发光元件连接于载体的平台上，其中发光元件的透明基板的第一平面与该平台间的夹角不等于零度，较佳地约为９０度。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种发光元件的封装结构。
技术介绍
一般具有透明基板的发光二极管(Light-Emitting Diode; LED)可以分为 直立式(Face-up type)与倒装式(Flip-chip type)。其中直立式发光二极管以胶材 或金属固着于载体上，倒装式发光二极管则以金属或焊锡做接合，其主要固 着面为发光二极管的正向发光面或其平行面。由于发光二极管发光层出光为 360度，所以往下的出光一般藉由反射面再反射回正向出光面或经由透明基 板出光。但透明基板的厚度不可太厚，以避免出光强度减弱。此外，当发光 二极管尺寸愈大时，将有愈多反射光经过发光层中的多重量子阱结构(Multi Quantum Well, MQW),因吸光效应而使出光效率降低。图1为传统发光元件封装结构。如图所示，固着面1为发光二极管芯片 100固着于载体3的一平面上，此平面与发光二极管芯片100的正向出光面 4平行。往下的光藉由一反射面2再反射回正向出光面4或一侧向出光面5。 此封装方式缺点为当发光二极管芯片尺寸愈大时，有愈多反射光经过发光层 中的多重量子阱结构，因吸光效应而使出光效率降低。
技术实现思路
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【技术保护点】
一种发光元件的封装结构，包含：　一载体，具有一平台；以及　一发光元件，包含：　一透明基板，具有一第一平面及一第二平面；以及　一发光结构，形成于该透明基板的该第一平面上，其中该发光结构至少包含一具有ｐ－ｎ结的有源层，且 该第一平面与该平台间的夹角不等于０度。

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：许嘉良，
申请(专利权)人：晶元光电股份有限公司，
类型：发明
国别省市：71[中国|台湾]