一种良率检测模型及其获取方法、检测良率分布的方法，获取方法包括：提供晶圆，包括若干第一曝光区和第二曝光区，若干所述第一曝光区沿第一方向和第二方向分布，第一方向和第二方向平行于晶圆表面且相互垂直，第一曝光区的形状包括矩形，任一第一曝光区内具有若干呈阵列分布的结构单元，第一曝光区内结构单元的数量为第一数值；获取若干个第一曝光区内的失效结构单元的总数量，若干第一曝光区内的失效结构单元的总数量为第二数值；根据第一数值和第二数值，获取若干个第一曝光区内的失效结构单元在第一曝光区内分布的实际最大值与第一数值和第二数值之间的关系，获取所述良率检测模型。所述良率检测模型提高了检测准确性和良率。率。率。
【技术实现步骤摘要】
良率检测模型及其获取方法、检测良率分布的方法
[0001]本专利技术涉及半导体
，尤其涉及一种良率检测模型及其获取方法、检测良率分布的方法。
技术介绍
[0002]在晶圆的生产过程中，往往会产生失效结构单元在多个曝光区域内重复分布的低良率问题。由于失效结构单元失效的特征明显，一旦发现之后，能够迅速锁定到光罩解决相关问题。
[0003]现阶段判断一枚晶圆是否存在失效结构单元在曝光区域内重复分布，是由工程师肉眼逐一判断。由此带来了两个问题：人力损耗：对于一个工厂而言，人工监控几万片晶圆每次测试的失效图形分布，是巨大的人力损耗；灵敏度：若失效的结构单元数量很低，人在判断时极易漏掉导致缺失。
[0004]需要一种高效又准确的方法来判断晶圆内是否存在失效结构单元在曝光区域内重复分布。
技术实现思路
[0005]本专利技术解决的技术问题是提供一种良率检测模型及其获取方法、检测良率分布的方法，以高效准确判断晶圆内是否存在失效结构单元在曝光区域内重复分布。
[0006]为解决上述技术问题，本专利技术技术方案提供一种良率检测模型的获取方法，包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干第一曝光区和第二曝光区，若干所述第一曝光区沿第一方向和第二方向分布，所述第一方向和第二方向平行于晶圆表面且相互垂直，所述第一曝光区的形状包括矩形，所述第二曝光区位于所述晶圆的边缘区域，任一所述第一曝光区内具有若干呈阵列分布的结构单元，所述第一曝光区内结构单元的数量为第一数值；获取若干个所述第一曝光区内的失效结构单元的总数量，若干所述第一曝光区内的失效结构单元的总数量为第二数值；根据所述第一数值和第二数值，获取若干个所述第一曝光区内的失效结构单元在第一曝光区内分布的实际最大值与第一数值和第二数值之间的关系，获取所述良率检测模型。
[0007]可选的，所述良率检测模型Y＝AX2+BX+C，其中，Y为若干个所述第一曝光区内的失效结构单元在第一曝光区内分布的实际最大值，n为所述第二数值，m为所述第一数值，A为第一系数，B为第二系数，C为第三系数。
[0008]可选的，所述第一系数A的范围为
‑
0.08至
‑
0.06；所述第二系数B的范围为1.35至1.65；所述第三系数C的范围为4至5。
[0009]可选的，所述第一系数A为
‑
0.068，所述第二系数B为1.47，所述第三系数C为4.51。
[0010]可选的，阵列分布的所述结构单元在第一方向上具有第一个数a，在第二方向上具有第二个数b，所述第一数值m＝a
×
b。
[0011]可选的，根据所述第一数值和第二数值，获取若干个所述第一曝光区内的失效结构单元在第一曝光区内分布的实际最大值与第一数值和第二数值之间的关系，包括：以第一步长，在第一范围内对所述第一数值进行取值；以第二步长，在第二范围内对所述第二数值进行取值；根据已知的所述第一数值和所述第二数值，获取第二数值个所述失效结构单元在所述第一曝光区内随机分布的理论最大值，所述理论最大值与所述第一数值和所述第二数值对应；根据所述理论最大值与对应的所述第一数值和所述第二数值，获取若干个所述第一曝光区内的失效结构单元在第一曝光区内分布的实际最大值与第一数值和第二数值之间的关系。
[0012]可选的，根据所述理论最大值与对应的所述第一数值和所述第二数值，获取所述失效结构单元的总数量与第一曝光区内分布的实际最大值与第一数值和第二数值之间的关系，包括：以所述第二数值与第一数值的比值为横坐标，以与所述第一数值和所述第二数值对应的所述理论最大值为纵坐标，获取若干散点；对若干所述散点进行二次项拟合，获取所述第一系数、第二系数和第三系数，获取若干个所述第一曝光区内的失效结构单元在第一曝光区内分布的实际最大值与第一数值和第二数值之间的关系。
[0013]可选的，所述第一步长包括10，所述第一范围包括20至200；所述第二步长包括20，所述第二范围包括50至1000。
[0014]相应地，本专利技术技术方案还提供一种良率检测模型，包括：所述良率检测模型包括：若干个第一曝光区内的失效结构单元在第一曝光区内分布的实际最大值与第一数值和第二数值之间的关系。
[0015]可选的，所述良率检测模型Y＝AX2+BX+C，其中，Y为若干个所述第一曝光区内的失效结构单元在第一曝光区内分布的实际最大值，n为所述第二数值，A为第一系数，B为第二系数，C为第三系数。
[0016]可选的，所述第一系数A的范围为
‑
0.08至
‑
0.06；所述第二系数B的范围为1.35至1.65；所述第三系数C的范围为4至5。
[0017]可选的，阵列分布的所述结构单元在第一方向上具有第一个数a，在第二方向上具有第二个数b，所述第一数值m＝a
×
b。
[0018]相应地，本专利技术技术方案还提供一种检测良率分布的方法，包括：提供良率检测模型；获取晶圆内任一第一曝光区内结构单元的数量；获取晶圆内若干个第一曝光区内的失效结构单元的总数量；根据任一第一曝光区内结构单元的数量和晶圆内若干个第一曝光区内的失效结构单元的总数量获取所述失效结构单元在所述第一曝光区内随机分布的理论最大值；根据任一第一曝光区内结构单元的数量、晶圆内若干个第一曝光区内的失效结构单元的总数量以及所述良率检测模型，获取若干个所述第一曝光区内的失效结构单元在第一曝光区内分布的实际最大值；根据所述理论最大值和实际最大值的比较结果，判断若干个所述失效结构单元是否在第一曝光区内随机分布。
[0019]可选的，判断若干个所述失效结构单元是否在第一曝光区内随机分布的方法包括：若所述实际最大值大于所述理论最大值，则判断若干个所述失效结构单元在第一曝光区内为规律分布；若所述实际最大值小于或等于所述理论最大值，则判断若干个所述失效结构单元在第一曝光区内为随机分布。
[0020]与现有技术相比，本专利技术的技术方案具有以下有益效果：
[0021]本专利技术的技术方案，通过获取一种良率检测模型，再根据所述良率检测模型对每一片晶圆进行检测，以判断晶圆内的失效结构单元在第一曝光区内是随机分布还是规律分布，若是规律分布则能快速追溯问题到光罩以解决问题，从而节省了人力并提高了检测准确性和良率。
附图说明
[0022]图1至图4是本专利技术实施例中良率检测模型获取过程的示意图；
[0023]图5和图6是本专利技术实施例中良率检测模型的获取方法的流程示意图；
[0024]图7是本专利技术实施例中检测良率分布方法的流程示意图。
具体实施方式
[0025]如
技术介绍
所述，需要一种高效又准确的方法来判断晶圆内是否存在失效结构单元在曝光区域内重复分布。
[0026]具体地，一片晶圆可根据光罩信息分割为若干完整的曝光区域，每一个完整的曝光区域内具有若干个结构单元，对若干个结构单元进行电测后，获取整片晶圆上失效结构单元的汇总。人工判断晶圆是否存在失效结构单本文档来自技高网...
【技术保护点】
【技术特征摘要】
1.一种良率检测模型的获取方法，其特征在于，包括：提供晶圆，所述晶圆包括若干第一曝光区和第二曝光区，若干所述第一曝光区沿第一方向和第二方向分布，所述第一方向和第二方向平行于晶圆表面且相互垂直，所述第一曝光区的形状包括矩形，所述第二曝光区位于所述晶圆的边缘区域，任一所述第一曝光区内具有若干呈阵列分布的结构单元，所述第一曝光区内结构单元的数量为第一数值；获取若干个所述第一曝光区内的失效结构单元的总数量，若干所述第一曝光区内的失效结构单元的总数量为第二数值；根据所述第一数值和第二数值，获取若干个所述第一曝光区内的失效结构单元在第一曝光区内分布的实际最大值与第一数值和第二数值之间的关系，获取所述良率检测模型。2.如权利要求1所述的良率检测模型的获取方法，其特征在于，所述良率检测模型Y＝AX2+BX+C，其中，Y为若干个所述第一曝光区内的失效结构单元在第一曝光区内分布的实际最大值，n为所述第二数值，m为所述第一数值，A为第一系数，B为第二系数，C为第三系数。3.如权利要求2所述的良率检测模型的获取方法，其特征在于，所述第一系数A的范围为
‑
0.08至
‑
0.06；所述第二系数B的范围为1.35至1.65；所述第三系数C的范围为4至5。4.如权利要求3所述的良率检测模型的获取方法，其特征在于，所述第一系数A为
‑
0.068，所述第二系数B为1.47，所述第三系数C为4.51。5.如权利要求2所述的良率检测模型的获取方法，其特征在于，阵列分布的所述结构单元在第一方向上具有第一个数a，在第二方向上具有第二个数b，所述第一数值m＝a
×
b。6.如权利要求2所述的良率检测模型的获取方法，其特征在于，根据所述第一数值和第二数值，获取若干个所述第一曝光区内的失效结构单元在第一曝光区内分布的实际最大值与第一数值和第二数值之间的关系，包括：以第一步长，在第一范围内对所述第一数值进行取值；以第二步长，在第二范围内对所述第二数值进行取值；根据已知的所述第一数值和所述第二数值，获取第二数值个所述失效结构单元在所述第一曝光区内随机分布的理论最大值，所述理论最大值与所述第一数值和所述第二数值对应；根据所述理论最大值与对应的所述第一数值和所述第二数值，获取若干个所述第一曝光区内的失效结构单元在第一曝光区内分布的实际最大值与第一数值和第二数值之间的关系。7.如权利要求6所述的良率检测模型的获取方法，其特征在于，根据所述理论最大值与对应的所述第一数值和所述第二数值，获取所述失效结构单元的总数量与第一曝光区内分布的实际最大值与第一数值和第二数值之间的关系，...
【专利技术属性】
技术研发人员：胡海天，连仲渊，李波，
申请(专利权)人：上海华虹宏力半导体制造有限公司，
类型：发明
国别省市：
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