一种深沟槽功率ＭＯＳ器件及其制造方法技术

一种深沟槽功率ＭＯＳ器件及其制造方法，保护环采用接触孔结构，在接触孔刻蚀完以后，进行接触孔的第二导电类型杂质离子注入以及快速热退火，形成第二导电类型掺杂区，使保护环的接触孔位于第一导电类型外延层上方的第二导电类型掺杂区内，保护环的接触孔内填充有浮置的金属连线。在第一主面淀积一层氮化硅层，通过普遍刻蚀的方式在单胞阵列与截止环之间区域的上方的场氧化硅层两侧形成侧壁保护结构，侧壁保护结构和场氧化硅层一起作为第一导电类型杂质离子和第二导电类型杂质离子自对准注入的阻挡层。本发明专利技术可以有效分散主结处的电场强度，提高主结处的耐压能力，防止漏电问题。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及功率MOS器件，特别涉及用4块光刻版来实现的深沟槽功率MOS器件 及其制造方法，主要应用在20V 40V的大功率MOS器件中。
技术介绍
深沟槽功率MOS器件是在平面式功率MOS器件的基础上发展起来的。与平面式功 率MOS器件相比，其具有导通电阻低、饱和压降低、开关速度快、沟道密度高、芯片尺寸小等 优点；采用沟槽式结构，消除了平面式功率MOS器件存在的寄生JFET(结型场效应管)效 应。目前深沟槽功率MOS器件已经发展成为中低压大功率MOS器件的主流。随着深沟槽大 功率MOS器件工艺技术的日渐成熟，市场竞争日趋激烈， 一颗芯片的制造成本和利润都已 经是按照多少分钱人民币来计算。所以对于如何更进一步降低制造成本提高利润率已成为 本领域技术人员最为关注的问题之一。提高集成度和减少光刻次数是最为有效的降低成 本的方法。但是集成度的提高受限制于半导体制造企业的设备能力以及工艺能力而难于实 现，或存在诸多负面问题。因此，减少光刻版数、优化工艺制造流程是本领域研究的方向。 现有的工艺过程中，制造一种深沟槽功率MOS器件， 一般需要使用到5 7块光刻 版。以6块版为例，通常按照如本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种深沟槽功率ＭＯＳ器件，中心区是并联的单胞阵列，所述单胞阵列的外围设有终端保护结构，所述终端保护结构由位于内圈的至少一个保护环和位于外圈的一个截止环组成；所述截止环采用沟槽结构，沟槽位于第二导电类型掺杂区，其深度伸入第二导电类型掺杂区下方的第一导电类型外延层，沟槽壁表面生长有绝缘栅氧化层，沟槽内淀积有导电多晶硅，沟槽顶部设有金属连线，沟槽外侧由第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂区构成，其中，第一导电类型掺杂区位于第二导电类型掺杂区的上部，所述金属连线通过接触孔将沟槽内的导电多晶硅与沟槽外侧的第一导电类型掺杂区和第二导电类型掺杂层区连接成等电位，其特征在于：所述保护环采用接触孔结构，保护环的...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：朱袁正，冷德武，叶鹏，丁磊，
申请(专利权)人：无锡新洁能功率半导体有限公司，
类型：发明
国别省市：32[中国|江苏]