半导体器件及其制造方法技术

本发明专利技术的目的在于提供一种具有寄生二极管、并且减小寄生ＰＮＰ晶体管的ｈｆｅ的低价的半导体器件及其制造方法，该半导体器件包括Ｐ型硅衬底（１）和形成在Ｐ型硅衬底（１）上的栅电极（５），Ｐ型硅衬底（１）具有Ｎ型阱层（２）、Ｎ型埋入层（３）、Ｐ型本体层（６）、形成在Ｐ型本体层（６）内的Ｎ型源极层（７）、以及形成在Ｎ型阱层（２）内的Ｎ型漏极接触层（８），Ｐ型本体层（６）和Ｎ型源极层（７）通过用栅电极（５）作为掩模的自对准来形成，Ｎ型漏极接触层（８）隔着栅电极（５）下方的Ｐ型本体层（６）形成在与Ｎ型源极层（７）相反的一侧，Ｎ型埋入层（３）形成在Ｐ型本体层（６）下方。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及，特别涉及低价、消耗功率少的DMOS(Double Diffused MOS双扩散金属氧化物半导体)晶体管。
技术介绍
近年来，随着电机驱动电路装置的低消耗功率化和低成本化，作为电机驱动电路装置的半导体器件，采用作为功率元件的横向型DMOS晶体管(以下称为DMOS晶体管)的技术被广泛使用。DMOS晶体管高耐压并且可以降低导通电阻，是最适合于功率元件的晶体管，所以被大量用于电机驱动电路装置的输出电路等。图1是表示电机驱动电路装置的一例输出电路的电路图。如图1所示，输出电路包括配置在电源线401和输出端子402之间的N沟道的第1DMOS晶体管403；配置在输出端子402和地线405之间的N沟道的第2DMOS晶体管406；以及与第1DMOS晶体管403和第2DMOS晶体管406的栅极连接，且对第1DMOS晶体管403和第2DMOS晶体管406的导通、截止进行控制的控制电路404。此时，第1DMOS晶体管403的漏极与电源线401连接，源极和本体(body)与输出端子402连接。另一方面，第2DMOS晶体管406的漏极与输出端子402连接，源极和本体与地线405连接。具有以本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种半导体器件，其特征在于：包括第１导电型的半导体衬底、以及形成在所述半导体衬底上的栅电极；所述半导体衬底具有：与第１导电型相反极性的第２导电型的阱层；形成在所述阱层内的第２导电型的漏极接触层；第１导电型的本体层；形成在所述 本体层内的第２导电型的源极层；以及第２导电型的埋入层，所述本体层和所述源极层通过用所述栅电极作为掩模的自对准形成，所述漏极接触层隔着所述栅电极下方的本体层形成在与所述源极层相反的一侧，所述埋入层形成在所述本体层下方。

【技术特征摘要】
...

【专利技术属性】
技术研发人员：井上真幸，大平明，
申请(专利权)人：松下电器产业株式会社，
类型：发明
国别省市：JP[日本]