具有改善闭锁电压和导通电阻性能的横向FET结构及方法技术

在本发明专利技术的一个实施例中，在半导体材料主体（３２）内形成了横向ＦＥＴ结构（３０）。结构（３０）包括多个与导电层（５７）耦联在一起的非交叉指漏区（３９），和多个与不同导电层（５１）耦联在一起的源区（３４）。一个或多个层间电介质（５３、５４）隔离两个导电层（５１、５７）。各个源区（３４）没有小半径指尖区域。（*该技术在2024年保护过期，可自由使用*）

【技术实现步骤摘要】

本专利技术总体上涉及半导体器件，更明确地，涉及横向场效应晶体管(FET)结构和制造方法。
技术介绍
金属氧化物半导体场效应晶体管(MOSFET)是一种普通类型的集成电路器件。MOSFET器件包括源区、漏区、伸展于源区和漏区之间的沟道区，和设置在沟道区上面的栅。该栅包括一个置于沟道区之上的并以薄电介质层与沟道区隔离的导电栅结构。横向MOSFET器件是高压(也就是高于200伏)设备，例如AC/DC电压转换中的离线开关调节器(off-line switching regulator)，中的一种通用器件。典型的横向MOSFET器件由源区和被中间区或漂移区隔开的漏区组成。栅结构置于器件的沟道区之上。在开启状态下，向栅施加电压，从而在源和漏区之间形成导电沟道区，其允许电流流过器件。在关闭状态下，向栅施加足够低的电压从而不形成导电沟道，因此不出现电流。在关闭状态中，器件必须能够支持源区和漏区之间的高电压。典型的横向驱动FET器件被设计成具有拉长(也就是长远大于宽)并且交叉指式的源区和漏区。在这种设计中，源区和漏区典型地分别以源尖端(source tip)和漏末端结束。图1图解了典型先前技术中交本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种横向ＦＥＴ器件，其特征在于：半导体材料主体，其具有第一导电类型；多个第二导电类型的漏区，其在半导体材料主体内形成；多个第二导电类型的源区，其在半导体材料主体内形成；第一导电层，其在半导体材料主体之上形成并 耦联于该多个漏区；第二导电层，其在半导体材料主体之上形成并耦联于该多个源区；以及电介质层，其在半导体材料主体之上形成，其中第一和第二导电层的其中一个在该电介质层之上形成。

【技术特征摘要】
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【专利技术属性】
技术研发人员：齐亚侯塞因，杜尚晖，石黑毅，雷杰施S奈尔，
申请(专利权)人：半导体元件工业有限责任公司，
类型：发明
国别省市：US[美国]