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在本发明的一个实施例中，在半导体材料主体（３２）内形成了横向ＦＥＴ结构（３０）。结构（３０）包括多个与导电层（５７）耦联在一起的非交叉指漏区（３９），和多个与不同导电层（５１）耦联在一起的源区（３４）。一个或多个层间电介质（５３、５４）隔离...该专利属于半导体元件工业有限责任公司所有，仅供学习研究参考，未经过半导体元件工业有限责任公司授权不得商用。
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在本发明的一个实施例中，在半导体材料主体（３２）内形成了横向ＦＥＴ结构（３０）。结构（３０）包括多个与导电层（５７）耦联在一起的非交叉指漏区（３９），和多个与不同导电层（５１）耦联在一起的源区（３４）。一个或多个层间电介质（５３、５４）隔离...