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一种深沟槽功率ＭＯＳ器件及其制造方法，保护环采用接触孔结构，在接触孔刻蚀完以后，进行接触孔的第二导电类型杂质离子注入以及快速热退火，形成第二导电类型掺杂区，使保护环的接触孔位于第一导电类型外延层上方的第二导电类型掺杂区内，保护环的接触孔内填...
该专利属于无锡新洁能功率半导体有限公司所有，仅供学习研究参考，未经过无锡新洁能功率半导体有限公司授权不得商用。

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