一种制备单分散硫化镉纳米晶的方法技术

本发明专利技术公开了一种制备单分散硫化镉纳米晶的方法，包括以下步骤：（１）利用醋酸镉、油酸和溶剂或氧化镉、油酸和溶剂配制油酸镉溶液；所述的溶剂为十八烯或液体石蜡；（２）将油酸镉溶液的温度降至室温，加入硫粉；（３）将步骤（２）的反应溶液的温度升至２２０℃～３００℃进行反应，至反应结束；（４）停止加热，待反应溶液温度降至室温，加入乙醇离心提纯，除去上清液，将沉淀分散在非极性溶剂中，再加入乙醇离心，重复此过程若干次，得到最终产物。本发明专利技术方法所得到的硫化镉纳米晶具有良好的单分散性和均匀性，尺寸可调，具有优异的荧光性能，可用于光电探测，量子点发光二极管等领域。

【技术实现步骤摘要】

本专利技术涉及一种单分散硫化镉纳米晶的制备方法，属于半导体材料领域。
技术介绍
硫化镉是一种重要的半导体材料，可用于光电探测器，化合物薄膜太阳能电池等光电器件。随着纳米材料和器件的制备技术的发展，硫化镉纳米晶越来越受到关注。当硫化镉纳米晶的尺寸减小至其激子波尔半径(约3nm)时，由于量子限域效应，材料的能带宽度变大，使得硫化镉量子点成为蓝光量子点发光二极管的首选材料。当硫化镉用于化合物薄膜太阳能电池的窗口层时，能带宽度的增大可以增加其在可见光区的透明度，使得更多的太阳光透过并被吸收层吸收，转化为电流，从而提高太阳能电池的效率。 目前制备单分散硫化镉纳米晶最常用的方法是热注入法，即将冷的前驱体溶液注入到高温反应溶剂中，这一过程保证了纳米晶的形核阶段和生长阶段有效的分离，从而得到尺寸均一的纳米晶。但热注入法要求一个快速的注入过程，显然无法用于工业级制备纳米晶。无注入法是一种适合大量制备硫化镉纳米晶的方法，但在之前的方法中使用饱和长碳链羧酸来稳定纳米晶的生长，需要加入形核触发剂增加单质硫的反应活性，增加了合成的成本。而反应活性高的有机硫源价格昂贵，有毒易氧化，所以需要开发一种更简单绿色且本文档来自技高网...

【技术保护点】
一种制备单分散硫化镉纳米晶的方法，包括如下步骤：　　（１）加热醋酸镉、油酸和溶剂的混合物至１００℃～１２０℃，得到油酸镉溶液，抽真空除去体系中的水和醋酸；或加热氧化镉、油酸和溶剂的混合物至２００℃～３００℃，保温至氧化镉全部溶解，得到油酸镉溶液；醋酸镉或氧化镉与油酸的摩尔比为１∶２～１∶１０；　　所述的溶剂为十八烯或液体石蜡；　　（２）将所述的油酸镉溶液的温度降至室温，加入硫粉，油酸镉与硫的摩尔比为４∶１～１∶４；　　（３）将步骤（２）的反应溶液的温度升至２２０℃～３００℃进行反应，至反应结束；　　（４）停止加热，待反应溶液温度降至室温，加入乙醇离心提纯，除去上清液，将沉淀分散在非极性溶剂中，...

【技术特征摘要】

【专利技术属性】
技术研发人员：杨德仁，邹彧，李东升，
申请(专利权)人：浙江大学，
类型：发明
国别省市：86[中国|杭州]