【技术实现步骤摘要】
本专利技术涉及一种硫化镉纳米薄膜的制备方法,具体涉及一种能够简单快速地制备 出均勻平整的硫化镉纳米薄膜,薄膜的晶粒尺寸在30nm左右的自组装制备硫化镉纳米薄 膜的方法。
技术介绍
硫化镉(CdS)是一种宽带隙半导体材料,带隙宽度约为2. 42eV。CdS薄膜是太阳 电池中是一种重要的η型窗口材料,与ρ型材料构成pn结,是太阳能电池的重要组成部分。 到目前为止,制备硫化镉薄膜的方法有真空镀膜、离子溅射、电沉积、分子束外延、高温热喷 涂以及化学沉积等。这些制膜工艺较为成熟,但是需要特殊的设备,复杂的制备工艺以及苛 刻的真空高温等条件,使得制备硫化镉薄膜的成本太高,难以实现简单快速的制备纳米薄 膜。自组装单层膜(Self-assembled monolayers)技术(简称SAMs技术),是一种制备纳 米薄膜的新技术,通过表面活性剂与基底之间的化学吸附作用,在基板材料上自组装形成 排列有序的分子膜层。自组装成膜技术方法简便易行,不需要特殊设备,且制备的薄膜缺陷 少、结合力强,结晶性好,不需后期晶化热处理。
技术实现思路
本专利技术的目的在于提供一种操作简单,无需保护气氛, ...
【技术保护点】
一种自组装制备硫化镉纳米薄膜的方法,其特征在于包括以下步骤:1)取1.00-10.00g的分析纯的碳酸镉置于烧杯中,向烧杯中滴加2-8mL的三甲胺得混合物A;2)向混合物A中加入去离子水搅拌均匀,配置成200mL的透明溶液B;3)向溶液B中加入1.00-20.00g的聚乙烯吡咯烷酮,常温下磁力搅拌均匀得溶液C;4)向溶液C中加入1.00-6.00g分析纯的硫代乙酰胺搅拌均匀得溶液D;5)用调节溶液D的pH值至4.0-10.0得前驱液E;6)取清洗干净的ITO基板置于体积浓度为2%的十六烷基三甲基溴化铵的苯溶液中在室温下浸泡30min,取出后在氩气气氛保护下于100℃干燥;7 ...
【技术特征摘要】
【专利技术属性】
技术研发人员:黄剑锋,张钦峰,胡宝云,曹丽云,吴建鹏,熊信柏,曾燮榕,
申请(专利权)人:陕西科技大学,
类型:发明
国别省市:87[中国|西安]
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